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Amplificador Operacional Cuádruple TL074CN

Q9.00

El TL074CN es un Amplificador Operacional cuádruple de propósito general con entrada JFET y de bajo ruido diseñado para ofrecer

Transistor TIP120 NPN, 60V 5A, TO-220

Q9.00

El TIP120 es un transistor con polaridad NPN con darlington con encapsulado TO-220. Diseñado para aplicaciones de amplificación de uso

Triac BTA16 600V 16A TO-220

Q10.00

BTA16 600B es un Triac estándar utilizado para aplicaciones de propósito general de corriente alterna de onda completa y de

Transistor Silicon 2SC1678 NPN 65V 3A 3W TO-220

Q10.00

El 2SC1678 es un transistor NPN de silicio planar epitaxial. Uso recomendado para la aplicación de etapa de salida del

Transistor Mosfet IRF530N, 100V 14A, TO-220

Q10.00

IRF530 es un dispositivo MOSFET de canal N. El voltaje de drenaje a fuente ( V DS ) es de

Transistor Mosfet IRF840, 500V 8A, TO-220

Q10.00

El transistor IRF840 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para

MOSFET Canal N Modelo IRF511 5.6A 80V

Q12.00

El IRF511 es un Transistor de efecto de campo de potencia Silicon Gate TMOS de modo de mejora de canal

Transistor MOSFET Canal N P12NA60FI, TO-247F

Q12.00

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V Corriente continua de

Transistor Potencia MJ2955 PNP 100V, 15A, TO-3

Q12.00

El MJ2955 es un transistor de potencia de silicio, complementario, PNP de -60V para usarse en aplicaciones de propósito general

Transistor de Potencia Bipolar NPN, TIP35C 100V 25A, TO-247

Q12.00

TIP35C Transistor BJT NPN 100V – 25A TO-247, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN. Este transistor es capaz

Mosfet NC-POWER IRF540N Canal N, 100V 33A

Q12.00

Material: metal-óxido-semiconductor Polaridad: canal N Encapsulado: TO 220 Conmutador de Potencia Corriente de drenador Ic: 33 Ampere Voltaje máximo drenador

Transistor Mosfet IRFZ44N, 55V 49A, TO-220

Q12.00

El IRFZ44N es un transistor mosfet  de potencia, de canal N, hexfet con muy baja resistencia por unidad de superficie 

Transistor TIP31C NPN 100V 3A, 40W TO-220

Q12.00

Número de Modelo: TIP31C Transistor NPN Encapsulado TO-220 Número de pines: 3 Dimensiones Aprox.: 28.9 mm x 10 mm x

Transistor 2N2905 PNP 60V 0.6A TO-39

Q12.00

2N2904 Transistor BJT PNP -40V / -600mA TO-39, semiconductor bipolar de juntura PNP. Su estructura es en plástico con tres

Transistor TIP127 PNP, 100V 5A, TO-220

Q12.00

El TIP127 es un transistor con   darlington  diseñado para su uso en amplificadores de propósito general y aplicaciones de conmutación

Transistor Mosfet IRF630N, 200V 9A, TO-220

Q12.00

IRF630 es un MOSFET de potencia de tercera generación especialmente diseñado para aplicaciones que requieren conmutación de alta velocidad. Este

Transistor Mosfet IRF1010E, 60V 84A, TO-220

Q15.00

IRF1010E MOSFET Canal N 60V – 84A TO-220, está diseñado para soportar un nivel específico de energía en el modo

Transistor Metálico 2N2222A, NPN 40V 800mA, TO-18

Q15.00

El 2N2222A es un transistor NPN de conmutación, es uno de los transistores más populares, permite corrientes de hasta 800mA

Transistor de Potencia NPN 120V 8A, 2SD718 TO-3P

Q15.00

El transistor 2SD718 es un amplificador de potencia de audio, convertidor de DC a DC y aplicaciones de conmutación. Características:

Transistor de Potencia PNP 2SB688, 120V 8A

Q15.00

El transistor 2SB688 podría tener una ganancia de corriente entre 55 y 160. Especificaciones: Tipo – PNP Voltaje del colector-emisor:

Transistor NPN de Silicio C2073, 150V 1.5A, TO-220

Q15.00

El transistor C2073 está diseñado para uso en aplicaciones de salida vertical, amplificador de potencia de uso general. Voltaje del

Transistor Mosfet IRF640N, 200V 18A, TO-220

Q15.00

El transistor IRF640N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para

Transistor Mosfet IRF740, 400V 10A, TO-220

Q15.00

El IRF740 es un MOSFET de potencia de canal N de 400 V, el MOSFET de potencia son la tercera

Transistor Mosfet IRF9540N, 100V 23A, TO-220

Q15.00

Transistor mosfet IRF9540 Tipo T es un mosfet de -100V  de canal P de potencia que  proporciona al diseñador con

Transistor Mosfet IRF3205, 55V 110A, TO-220

Q15.00

El IRF3205 es un transistor mosfet de potencia, de canal N, muy baja resistencia por unidad de superficie y con

Transistor Mosfet, 600V 3A, MTP3N60

Q15.00

Especificaciones: Paquete        A-220-3 Polaridad del transistor      norte Voltaje máximo de la fuente de drenaje 600 voltios Corriente máxima de drenaje

Transistor de Potencia de Canal N, 60V 50A, 50N06

Q15.00

Disipación total del dispositivo (Pd): 130 W Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V Corriente continua de

Transistor MOSFET de Potencia de Canal N 150V 60A, IRFB52N15D

Q15.00

El IRFB52N15D es un transistor MOSFET de potencia de canal N de alto rendimiento, diseñado para conmutación rápida y eficiente,

Triac BTA08 600C 8A 600V TO-220

Q16.00

4A corriente de puerta máxima Epoxy con clasificación de llama UL94V-0 Aplicaciones: Industrial, HVAC, Control de Motor, Iluminación Especificaciones Tensión