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Transistor Bipolar de Buerta Aislada (IGBT), G4PC50U

Q40.00

El G4PC50U (IRG4PC50U) es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de alta potencia y 600V, diseñado por International Rectifier

Transistor Bipolar de Buerta Aislada (IGBT), IRG4PC50W

Q40.00

El IRG4PC50W es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de alta potencia y alta velocidad, diseñado por International Rectifier

Transistor MOSFET de Potencia de Canal N 150V 60A, IRFB52N15D

Q15.00

El IRFB52N15D es un transistor MOSFET de potencia de canal N de alto rendimiento, diseñado para conmutación rápida y eficiente,

Transistor de Potencia de Canal N, 60V 50A, 50N06

Q15.00

Disipación total del dispositivo (Pd): 130 W Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V Corriente continua de

Transistor Bipolar C2235, NPN 120V 0.8A, 0.9W, 120MHz, TO-92MOD

Q3.00

Tipo: NPN Tensión Máxima Colector-Emisor: 120 V Tensión Máxima Colector-Base: 120 V Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V Corriente DC Máxima

Transistor Mosfet, 600V 3A, MTP3N60

Q15.00

Especificaciones: Paquete        A-220-3 Polaridad del transistor      norte Voltaje máximo de la fuente de drenaje 600 voltios Corriente máxima de drenaje

Triac 600V 10A, Q2008LT

Q20.00

Los dispositivos Quadrac de Teccor son triacs que incluyen un disparador diac montado dentro del mismo paquete. Este dispositivo, desarrollado

Transistor Mosfet IRFP460, 500V 20A, TO-247

Q45.00

El transistor IRFP460 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para

Transistor Mosfet IRFP264N, 250V 44A, TO-247

Q30.00

El transistor IRFP264N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para

Transistor Mosfet IRFP254N, 250V 23A, TO-247

Q30.00

IRFP254N es una nueva generación de la familia de MOSFET de alto voltaje que utiliza un mecanismo de equilibrio de

Transistor Mosfet IRFP150N, 100V 42A, TO-247

Q45.00

El transistor IRFP150N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para

Transistor Mosfet IRFP360, 400V 23A, TO-247

Q25.00

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar

Transistor Mosfet IRF3205, 55V 110A, TO-220

Q15.00

El IRF3205 es un transistor mosfet de potencia, de canal N, muy baja resistencia por unidad de superficie y con

Transistor Mosfet IRF9540N, 100V 23A, TO-220

Q15.00

Transistor mosfet IRF9540 Tipo T es un mosfet de -100V  de canal P de potencia que  proporciona al diseñador con

Transistor Mosfet IRF630N, 200V 9A, TO-220

Q12.00

IRF630 es un MOSFET de potencia de tercera generación especialmente diseñado para aplicaciones que requieren conmutación de alta velocidad. Este

Transistor Mosfet IRF840, 500V 8A, TO-220

Q10.00

El transistor IRF840 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para

Transistor Mosfet IRF740, 400V 10A, TO-220

Q15.00

El IRF740 es un MOSFET de potencia de canal N de 400 V, el MOSFET de potencia son la tercera

Transistor Mosfet IRF640N, 200V 18A, TO-220

Q15.00

El transistor IRF640N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para

Transistor NPN Toshiba C5198, 140V 10A

Q22.00

Es un dispositivo de transistor de unión bipolar NPN El voltaje del colector al emisor es de 140V El voltaje

Transistor TIP120 NPN, 60V 5A, TO-220

Q9.00

El TIP120 es un transistor con polaridad NPN con darlington con encapsulado TO-220. Diseñado para aplicaciones de amplificación de uso

Transistor Mosfet IRFP240, 200V 20A

Q30.00

Especificaciones: Tipo de paquete:  TO-247 Tipo de transistor:  Canal N Voltaje máximo aplicado desde el drenaje hasta la fuente:  200 V El voltaje

Transistor Bipolar MPSA92 PNP, TO-92

Q2.00

El MPSA92 se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando

Transistor NPN de Silicio C2073, 150V 1.5A, TO-220

Q15.00

El transistor C2073 está diseñado para uso en aplicaciones de salida vertical, amplificador de potencia de uso general. Voltaje del

Amplificador Operacional Cuádruple TL074CN

Q9.00

El TL074CN es un Amplificador Operacional cuádruple de propósito general con entrada JFET y de bajo ruido diseñado para ofrecer

Transistor TIP127 PNP, 100V 5A, TO-220

Q12.00

El TIP127 es un transistor con   darlington  diseñado para su uso en amplificadores de propósito general y aplicaciones de conmutación

Transistor Bipolar BD238, PNP, 100V 2A 25W, TO-126

Q5.00

Transistor bipolar compuesto por silicio con un amplio uso en diversos circuitos y aparatos electrónicos. Características: Material: Silicio Polaridad: P-N-P

Transistor Darlington MPSA13 NPN, 30V 500mA, 625mW, 125MHz, TO-92

Q2.00

Transistor Darlington NPN de propósito general. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 10

Transistor Bipolar NPN 2SC4793, 230V, 20W, 1A, 100Mhz

Q8.00

Características: Tipo – NPN Voltaje colector-emisor: 230 V Voltaje de la base del colector: 230 V Voltaje de la base

Transistor PNP A1837 Bipolar

Q8.00

El A1837 es un Transistor de uso general de alta Tipo de transistor PNP Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente

Transistor BC549 NPN, 30V 0.1A TO-92

Q2.00

Categoría de producto: Transistores de empalme bipolar (BJT) Estilo de montaje: Through Hole Paquete / Cubierta: TO-92 Polaridad del transistor: NPN Máx. voltaje

Transistor BC550 NPN, 45V 0.1A TO-92

Q2.00

Tipo de Transistor NPN Corriente DC Máxima del Colector 100 mA Tensión Máxima Colector-Emisor 45 V Tipo de Encapsulado TO-92