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Transistor Bipolar C2235, NPN 120V 0.8A, 0.9W, 120MHz, TO-92MOD
Tipo: NPN Tensión Máxima Colector-Emisor: 120 V Tensión Máxima Colector-Base: 120 V Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V Corriente DC Máxima
Transistor Mosfet, 600V 3A, MTP3N60
Especificaciones: Paquete A-220-3 Polaridad del transistor norte Voltaje máximo de la fuente de drenaje 600 voltios Corriente máxima de drenaje
Transistor Mosfet, Canal N, 100V 180A, HY-3810, TO-220
Máxima disipación de potencia (Pd): 580 W Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 100 V Voltaje máximo fuente – puerta
Triac 600V 10A, Q2008LT
Los dispositivos Quadrac de Teccor son triacs que incluyen un disparador diac montado dentro del mismo paquete. Este dispositivo, desarrollado
Transistor Mosfet IRFP460, 500V 20A, TO-247
El transistor IRFP460 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
Transistor Mosfet IRFP264N, 250V 44A, TO-247
El transistor IRFP264N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
Transistor Mosfet IRFP250N, 200V 33A, TO-247
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar
Transistor Mosfet IRFP254N, 250V 23A, TO-247
IRFP254N es una nueva generación de la familia de MOSFET de alto voltaje que utiliza un mecanismo de equilibrio de
Transistor Mosfet IRFP150N, 100V 42A, TO-247
El transistor IRFP150N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
Transistor Mosfet IRFP360, 400V 23A, TO-247
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar
Transistor Mosfet IRF3205, 55V 110A, TO-220
El IRF3205 es un transistor mosfet de potencia, de canal N, muy baja resistencia por unidad de superficie y con
Transistor Mosfet IRF9Z24N, 55V 12A, TO-220
De manera especifica, el transistor IRF9Z24N es un MOSFET de potencia ó como el nombre comercial HEXFET. Este transistor tiene una
Transistor Mosfet IRF630N, 200V 9A, TO-220
IRF630 es un MOSFET de potencia de tercera generación especialmente diseñado para aplicaciones que requieren conmutación de alta velocidad. Este
Transistor Mosfet IRF840, 500V 8A, TO-220
El transistor IRF840 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
Transistor Mosfet IRF740, 400V 10A, TO-220
El IRF740 es un MOSFET de potencia de canal N de 400 V, el MOSFET de potencia son la tercera
Transistor Mosfet IRF640N, 200V 18A, TO-220
El transistor IRF640N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
Transistor NPN Toshiba C5198, 140V 10A
Es un dispositivo de transistor de unión bipolar NPN El voltaje del colector al emisor es de 140V El voltaje
Transistor TIP120 NPN, 60V 5A, TO-220
El TIP120 es un transistor con polaridad NPN con darlington con encapsulado TO-220. Diseñado para aplicaciones de amplificación de uso
Transistor Mosfet IRFP240, 200V 20A
Especificaciones: Tipo de paquete: TO-247 Tipo de transistor: Canal N Voltaje máximo aplicado desde el drenaje hasta la fuente: 200 V El voltaje
Transistor Bipolar MPSA92 PNP, TO-92
El MPSA92 se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando
Transistor Mosfet 4N60A Canal N, 600V 2.6A, TO-220F
Características: Mosfet de canal N Carga de compuerta baja (típica 15 nC) Low C rss (típico 8.0 pF) Conmutación rápida
Transistor NPN de Silicio C2073, 150V 1.5A, TO-220
El transistor C2073 está diseñado para uso en aplicaciones de salida vertical, amplificador de potencia de uso general. Voltaje del
Triac 800V 8A, TIC225N
TIC 225A 800V
Amplificador Operacional Cuádruple TL074CN
El TL074CN es un Amplificador Operacional cuádruple de propósito general con entrada JFET y de bajo ruido diseñado para ofrecer
Transistor TIP127 PNP, 100V 5A, TO-220
El TIP127 es un transistor con darlington diseñado para su uso en amplificadores de propósito general y aplicaciones de conmutación
Transistor Bipolar BD238, PNP, 100V 2A 25W, TO-126
Transistor bipolar compuesto por silicio con un amplio uso en diversos circuitos y aparatos electrónicos. Características: Material: Silicio Polaridad: P-N-P
Transistor Darlington MPSA13 NPN, 30V 500mA, 625mW, 125MHz, TO-92
Transistor Darlington NPN de propósito general. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 10
Transistor Bipolar NPN 2SC4793, 230V, 20W, 1A, 100Mhz
Características: Tipo – NPN Voltaje colector-emisor: 230 V Voltaje de la base del colector: 230 V Voltaje de la base
Transistor PNP A1837 Bipolar
El A1837 es un Transistor de uso general de alta Tipo de transistor PNP Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente
Transistor BC549 NPN, 30V 0.1A TO-92
Categoría de producto: Transistores de empalme bipolar (BJT) Estilo de montaje: Through Hole Paquete / Cubierta: TO-92 Polaridad del transistor: NPN Máx. voltaje
Transistor BC550 NPN, 45V 0.1A TO-92
Tipo de Transistor NPN Corriente DC Máxima del Colector 100 mA Tensión Máxima Colector-Emisor 45 V Tipo de Encapsulado TO-92
Transistor BC558 PNP 50V 0.1A TO-92
Transistor Bipolar (BJT) PNP IC max: 100 mA FT : 150 MHz PTOT: 500 mW VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO:
Transistor 2N5401 PNP 160V, 0.6A TO-92
Transistor Bipolar (BJT) PNP de alto voltaje Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general IC: 600
Transistor S8550 PNP, 0.5A 40V 625mW TO-92
Transistor Bipolar (BJT) PNP Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio IC: 500 mA PD: 625 mW VCEO: 25
Transistor Bipolar (BJT) S9015 PNP, 45V 100mA TO-92
Transistor Bipolar (BJT) PNP IC: 100 mA PD: 450 mW VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V hFE:
Transistor Bipolar BJT S9014, NPN, 50V 0.1A, TO-92
Transistor S9014 pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de pre-amplificador de bajo nivel y bajo ruido. Alta disipación
Transistor Bipolar (BJT) S9013 NPN, 25V 500mA TO-92
Transistor Bipolar (BJT) NPN Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio hFE con buena linealidad IC: 500 mA PD: 625 mW
Transistor Bipolar (BJT) S9012 PNP, 25V 500mA TO-92
Transistor Bipolar (BJT) PNP Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio hFE con buena linealidad IC: 500 mA PD: 625 mW
Transistor 2SC2655, NPN, 50V, 2A, TO-92L
Transistor 2SC2655 de pequeña señal diseñado para su uso como amplificador e interruptor de potencia. Complemento 2SA1020 Aplicaciones: Industrial Especificaciones:
Transistor 2SC1384, NPN, 60V, 1A, TO-92L
Transistor 2SC1384 pequeña señal para amplificación de potencia de baja frecuencia y amplificación de controlador. Bajo voltaje de saturación del
Transistor 2SA1013, PNP, 160V, 1A, TO-92L
Transistor 2SA1013 pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de televisión de color y para la salida de deflexión
Transistor 2SA928, PNP, 30V, 2A, TO-92
Transistor 2SA928 pequeña señal diseñado como amplificador de audio de poder. Complemento de 2SC2328A Características: Polaridad del transistor: PNP Voltaje
Transistor A1020 PNP, 50V, 2A, 100MHz, TO-92
Tipo: PNP Tensión Colector-Emisor: -50 V Voltaje de la base del colector: -50 V Voltaje Emisor-Base: -5 V Corriente de colector: -2 A Disipación del colector: 0,9 W Ganancia de corriente
Transistor 2N4401 NPN, 40V, 600mA, 700mW, 250MHz,TO-92
Transistor 2N4401 de pequeña señal, NPN 40 V, 0.6 A, 5 MHz de baja potencia usado para propósito general en
Transistor 2SC828 NPN, 30V, 100mA, TO-92
Transistor 2SC828 de pequeña señal, diseñado especialmente como pre-amplificdor de bajo ruido y para aplicaciones de amplificador industrial de pequeña
Transistor 2SK30A JFET Canal N, 50V, 6.5 mA, TO-92
Transistor 2SK30A pequeña señal, conmutador de canal N. Este dispositivo está diseñado para aplicaciones de conmutación digital con baja resistencia.
Transistor Bipolar NPN C2240, 120V 100mA, 300mW, 100MHz, TO-92
El 2SC2240 es un transistor para baja frecuencia y bajo ruido. Aplicaciones: Este dispositivo está diseñado para reducir la figura
Transistor MJE13002 NPN, 700V 200mA, TO-92
Transistor 13002 Tipo: Transistor triodo Data: 700V 0.2A High Voltage/Speed
Transistor NPN C4460, 500V 15A, TO-3PML
Especificaciones:
Transistor de Potencia PNP 2SB688, 120V 8A
El transistor 2SB688 podría tener una ganancia de corriente entre 55 y 160. Especificaciones: Tipo – PNP Voltaje del colector-emisor:
Transistor 2SA992 PNP, 120V 50mA, 500mW, 100MHz, TO-92
Voltaje colector-emisor (Vceo): 120V Voltaje de la base del colector (Vcbo): 120 V Corriente del colector (Ic): 0.05A hfe: 200-800
Transistor 2SB647 PNP 120V 1A, 0.9W, 140MHz, TO-92
Tipo de transistor: PNP Polarización: bipolar Voltaje colector-emisor: 120V Corriente del colector: 1A Energía: 900 mW Caso: TO-92 Montaje: THT
Transistor 2SA1266 PNP, 50V, 150mA, 400mW, TO-92
2SA1266 es un dispositivo semiconductor que se utiliza para amplificar o cambiar señales electrónicas y energía eléctrica. Está compuesto de
Transistor Mosfet IRF530N, 100V 14A, TO-220
IRF530 es un dispositivo MOSFET de canal N. El voltaje de drenaje a fuente ( V DS ) es de
Transistor de Potencia NPN 120V 8A, 2SD718 TO-3P
El transistor 2SD718 es un amplificador de potencia de audio, convertidor de DC a DC y aplicaciones de conmutación. Características:
Transistor Bipolar BD136 PNP 45V 1A TO-126
Es un amplificador de audio que soporta una corriente máxima de 1 ampere, está compuesto en su estructura por tres
Transistor Bipolar BD138 PNP 60V 1A TO-126
Consiste en una plaquita de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente tipo de conductibilidad eléctrica los cuales forman dos
Triac BTA08 600C 8A 600V TO-220
4A corriente de puerta máxima Epoxy con clasificación de llama UL94V-0 Aplicaciones: Industrial, HVAC, Control de Motor, Iluminación Especificaciones Tensión
Triac TIC246D 16A 400V TO-220
TIC 246D TRANSISTOR TRIAC 400V 16A 50mA
Transistor TOSHIBA PNP 2SA1943 Bipolar, 230V 15A 150W, TO-3PL
Tipo de transistor PNP Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente de colector 15A Poder disipado 150W Carcasa TO3PL Montaje THT