MOSFET Canal N Modelo IRF511 5.6A 80V
Q12.00
Solo 1 en existencia
El IRF511 es un Transistor de efecto de campo de potencia Silicon Gate TMOS de modo de mejora de canal N en un paquete TO-220.
Este TMOS Power Fet está diseńado para aplicaciones de conmutación de potencia de baja tensión y alta velocidad, como reguladores de conmutación, convertidores, solenoides y controladores de relé.
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