Transistor Mosfet, 600V 3A, MTP3N60

Especificaciones:

• Paquete        A-220-3
• Polaridad del transistor      norte
• Voltaje máximo de la fuente de drenaje 600 voltios
• Corriente máxima de drenaje continuo  3A
• Voltaje máximo de fuente de puerta       ±20V
• Disipación de potencia       75W
• Número de elementos por chip    1
• Voltaje directo máximo       600 VCC
• Potencia de salida   75W
• Corriente pico no repetitiva           14A
• Corriente inversa máxima  10uA
• Modo de canal         Mejora del canal N
• Tiempo máximo de recuperación inversa          58ns
• Tipo de canal           norte
• Voltaje inverso pico repetitivo       600 VCC
• Configuración          Soltero
• Resistencia máxima de la fuente de drenaje    2,1 ohmios a 10 V
• Categoría      MOSFET de potencia
• Corriente directa máxima   3A
• Tiempo típico de otoño      35ns
• Carga típica de puerta @ Vgs      28 nC a 10 V.
• Capacitancia de entrada típica @ Vds   770pf@25V
• Tiempo de subida típico     34ns
• Tiempo de retardo típico de apagado     58ns
• Tiempo de retardo de encendido típico  23ns
• Temperatura mínima de funcionamiento           -55°C
• Temperatura máxima de funcionamiento          150°C
• Montaje         A través del orificio
• embalaje       A granel
• Patas  3
• Familia          MTP3
• Ancho 4,57 milímetros
• Altura 9,02 milímetros
• Longitud        10,28 milímetros
• tipo de producto       MOSFET