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Transistor 2N2222A NPN, 40V 0.6A TO-92

Q1.00

También identificado como PN2222, es un transistor bipolar NPN de baja potencia de uso general. Sirve tanto para aplicaciones de

Transistor 2N3904 NPN, 40V 0.2A TO-92

Q1.00

El transistor 2N3904 es uno de los más comunes transistores NPN generalmente usado para amplificación. Está diseńado para funcionar a

Transistor 2N3906 PNP, 40V 0.2A TO-92

Q1.00

Transistor 2N3906 de pequeńa seńal. Este transistor cuenta con conmutación rápida, por lo tanto es adecuado para la conmutación y

Transistor BC547 NPN, 45V 0.1A TO-92

Q2.00

Es un transistor amplificador de audio y VHF Freq. Driver con una corriente máxima de colector de 0.6 ampere, en

Transistor Mosfet IRFZ44N, 55V 49A, TO-220

Q12.00

El IRFZ44N es un transistor mosfet  de potencia, de canal N, hexfet con muy baja resistencia por unidad de superficie 

Transistor NPN TIP41C, 100V 6A 65W, TO-220

Q6.00

Transistor de potencia TIP41C NPN, con encapsulado de plástico TO-220, este transistor es de tipo bipolar de propósito general es

Transistor BC548 NPN, 30V 0.1A TO-92

Q2.00

Transistor BC548 es un transistor de silicio de baja potencia de propósitos generales utilizado en gran variedad de equipos electrónicos.

Transistor Bipolar BD135 NPN 45V, 1.5A TO-126

Q3.50

El BD135 es un transistor de bajo voltaje de polaridad  NPN, fabricado con tecnología planar epitaxial y diseñado para su

Transistor TIP31C NPN 100V 3A, 40W TO-220

Q12.00

Número de Modelo: TIP31C Transistor NPN Encapsulado TO-220 Número de pines: 3 Dimensiones Aprox.: 28.9 mm x 10 mm x

Transistor Mosfet IRF3205, 55V 110A, TO-220

Q15.00

El IRF3205 es un transistor mosfet de potencia, de canal N, muy baja resistencia por unidad de superficie y con

Mosfet NC-POWER IRF540N Canal N, 100V 33A

Q12.00

Material: metal-óxido-semiconductor Polaridad: canal N Encapsulado: TO 220 Conmutador de Potencia Corriente de drenador Ic: 33 Ampere Voltaje máximo drenador

Transistor TOSHIBA NPN 2SC5200 Bipolar, 230V 15A 150W, TO-3PL

Q45.00

Tipo de transistor NPN Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente de colector 15A Pérdidas de potencia 150W Carcasa TO3PL Montaje

Tiristor SCR C106MG, 600V 4A, TO-126

Q6.00

El C106MG SCR es un tiristor rectificador controlado de silicio por sus siglas en inglés (Silicon Controlled Rectifier) de tipo

Triac BT136 600V 4A TO-220

Q6.00

El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a

Transistor Mosfet IRF640N, 200V 18A, TO-220

Q15.00

El transistor IRF640N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para

Transistor TIP42C PNP 100 V 6A 65W TO-220

Q6.00

Transistor de potencia TIP42C PNP, con encapsulado de plástico TO-220, este transistor es de tipo bipolar de propósito general es

Transistor Bipolar NPN 2N5551, 600mA 160V, TO-92

Q2.00

Transistor tipo:  NPN Corriente de Colector (Ic) (Max): 600mA Voltaje – Colector Emisor ruptura (Max): 160V Vce Saturación (Max) @

Transistor BC557 PNP, 50V 0.1A TO-92

Q2.00

Encapsulado: TO-92 Tipo de transistor: PNP Corriente máxima del colector (IC): -100mA Voltaje máximo del colector-emisor (VCE): -45V Voltaje máximo

Transistor BD139 NPN 80V 1.5A TO-126

Q2.00

El BD139 es un transistor de silicio NPN de potencia media de plástico diseñado para su uso como amplificadores de

Transistor TOSHIBA PNP 2SA1943 Bipolar, 230V 15A 150W, TO-3PL

Q45.00

Tipo de transistor PNP Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente de colector 15A Poder disipado 150W Carcasa TO3PL Montaje THT

Transistor Bipolar (BJT) A1015 PNP, 50V 150mA TO-92

Q2.00

De tipo PNP viene en encapsulado TO92, plástico y con tres pines. Está formado por dos uniones np en contraposición.

Transistor Potencia 2N3055 NPN 60V, 15A, TO-3

Q20.00

2N3055 Transistor BJT NPN 70V – 15A TO-3, semiconductor bipolar de juntura NPN. Este transistor es de alta potencia, capaz

Triac BTA16 600V 16A TO-220

Q10.00

BTA16 600B es un Triac estándar utilizado para aplicaciones de propósito general de corriente alterna de onda completa y de

Triac BT137 600V 8A TO-220

Q7.00

BT137 es un TRIAC estándar de 3 pines para conmutación de CA de uso general y se puede utilizar como

Transistor Mosfet IRF530N, 100V 14A, TO-220

Q10.00

IRF530 es un dispositivo MOSFET de canal N. El voltaje de drenaje a fuente ( V DS ) es de

Transistor NPN de Silicio C2073, 150V 1.5A, TO-220

Q15.00

El transistor C2073 está diseñado para uso en aplicaciones de salida vertical, amplificador de potencia de uso general. Voltaje del

Transistor TIP122 NPN, 100V 5A, TO-220

Q6.00

El transistor de potencia bipolar Darlington está diseńado para aplicaciones de amplificador de uso general y conmutación de baja velocidad.

Transistor de Potencia Bipolar NPN, TIP35C 100V 25A, TO-247

Q12.00

TIP35C Transistor BJT NPN 100V – 25A TO-247, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN. Este transistor es capaz

Transistor BC558 PNP 50V 0.1A TO-92

Q2.00

Transistor Bipolar (BJT) PNP IC max: 100 mA FT : 150 MHz PTOT: 500 mW VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO:

Transistor 2N5401 PNP 160V, 0.6A TO-92

Q2.00

Transistor Bipolar (BJT) PNP de alto voltaje Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general IC: 600

Transistor Mosfet IRF1010E, 60V 84A, TO-220

Q15.00

IRF1010E MOSFET Canal N 60V – 84A TO-220, está diseñado para soportar un nivel específico de energía en el modo

Transistor Bipolar NPN 2SC4793, 230V, 20W, 1A, 100Mhz

Q8.00

Características: Tipo – NPN Voltaje colector-emisor: 230 V Voltaje de la base del colector: 230 V Voltaje de la base