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Transistor 2N2222A NPN, 40V 0.6A TO-92
También identificado como PN2222, es un transistor bipolar NPN de baja potencia de uso general. Sirve tanto para aplicaciones de
Transistor 2N3904 NPN, 40V 0.2A TO-92
El transistor 2N3904 es uno de los más comunes transistores NPN generalmente usado para amplificación. Está diseńado para funcionar a
Transistor 2N3906 PNP, 40V 0.2A TO-92
Transistor 2N3906 de pequeńa seńal. Este transistor cuenta con conmutación rápida, por lo tanto es adecuado para la conmutación y
Transistor NPN TIP41C, 100V 6A 65W, TO-220
Transistor de potencia TIP41C NPN, con encapsulado de plástico TO-220, este transistor es de tipo bipolar de propósito general es
Transistor BC547 NPN, 45V 0.1A TO-92
Es un transistor amplificador de audio y VHF Freq. Driver con una corriente máxima de colector de 0.6 ampere, en
Transistor Mosfet IRFZ44N, 55V 49A, TO-220
El IRFZ44N es un transistor mosfet de potencia, de canal N, hexfet con muy baja resistencia por unidad de superficie
Transistor TIP31C NPN 100V 3A, 40W TO-220
Número de Modelo: TIP31C Transistor NPN Encapsulado TO-220 Número de pines: 3 Dimensiones Aprox.: 28.9 mm x 10 mm x
Transistor TOSHIBA NPN 2SC5200 Bipolar, 230V 15A 150W, TO-3PL
Tipo de transistor NPN Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente de colector 15A Pérdidas de potencia 150W Carcasa TO3PL Montaje
Transistor BC548 NPN, 30V 0.1A TO-92
Transistor BC548 es un transistor de silicio de baja potencia de propósitos generales utilizado en gran variedad de equipos electrónicos.
Triac BT136 600V 4A TO-220
El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a
Transistor TOSHIBA PNP 2SA1943 Bipolar, 230V 15A 150W, TO-3PL
Tipo de transistor PNP Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente de colector 15A Poder disipado 150W Carcasa TO3PL Montaje THT
Transistor TIP42C PNP 100 V 6A 65W TO-220
Transistor de potencia TIP42C PNP, con encapsulado de plástico TO-220, este transistor es de tipo bipolar de propósito general es
Tiristor SCR C106MG, 600V 4A, TO-126
El C106MG SCR es un tiristor rectificador controlado de silicio por sus siglas en inglés (Silicon Controlled Rectifier) de tipo
Transistor Bipolar (BJT) A1015 PNP, 50V 150mA TO-92
De tipo PNP viene en encapsulado TO92, plástico y con tres pines. Está formado por dos uniones np en contraposición.
Mosfet NC-POWER IRF540 Canal N, 100V 33A
Material: metal-óxido-semiconductor Polaridad: canal N Encapsulado: TO 220 Conmutador de Potencia Corriente de drenador Ic: 33 Ampere Voltaje máximo drenador
Transistor BD139 NPN 80V 1.5A TO-126
El BD139G es un transistor de silicio NPN de potencia media de plástico diseñado para su uso como amplificadores de
Transistor Bipolar MPSA92 PNP, TO-92
El MPSA92 se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando
Transistor Bipolar NPN 2N5551, 600mA 160V, TO-92
Transistor tipo: NPN Corriente de Colector (Ic) (Max): 600mA Voltaje – Colector Emisor ruptura (Max): 160V Vce Saturación (Max) @
Transistor BC557 PNP, 50V 0.1A TO-92
Encapsulado: TO-92 Tipo de transistor: PNP Corriente máxima del colector (IC): -100mA Voltaje máximo del colector-emisor (VCE): -45V Voltaje máximo
Transistor Potencia 2N3055 NPN 60V, 15A, TO-3
2N3055 Transistor BJT NPN 70V – 15A TO-3, semiconductor bipolar de juntura NPN. Este transistor es de alta potencia, capaz
Transistor NPN de Silicio C2073, 150V 1.5A, TO-220
El transistor C2073 está diseñado para uso en aplicaciones de salida vertical, amplificador de potencia de uso general. Voltaje del
Transistor Mosfet IRF530N, 100V 14A, TO-220
IRF530 es un dispositivo MOSFET de canal N. El voltaje de drenaje a fuente ( V DS ) es de
Transistor de Potencia Bipolar NPN, TIP35C 100V 25A, TO-247
TIP35C Transistor BJT NPN 100V – 25A TO-247, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN. Este transistor es capaz
Transistor TIP122 NPN, 100V 5A, TO-220
El transistor de potencia bipolar Darlington está diseńado para aplicaciones de amplificador de uso general y conmutación de baja velocidad.
Transistor BC337 NPN 25V 0.8A TO-92
Es un transistor bipolar, compuesto por Silicio. Utilizado en amplificadores de audio, equipos de medicina y equipos informáticos.
Transistor Mosfet IRF640N, 200V 18A, TO-220
El transistor IRF640N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
Transistor 2N5401 PNP 160V, 0.6A TO-92
Transistor Bipolar (BJT) PNP de alto voltaje Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general IC: 600
Triac BT137 600V 8A TO-220
El BT137 es una puerta sensitiva pasivada planar triac de cuatro cuadrantes destinado al uso en aplicaciones de conmutación bidireccional
Transistor Bipolar BD135 NPN 45V, 1.5A TO-126
El BD135 es un transistor de bajo voltaje de polaridad NPN, fabricado con tecnología planar epitaxial y diseñado para su
Transistor Bipolar BD138 PNP 60V 1A TO-126
Consiste en una plaquita de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente tipo de conductibilidad eléctrica los cuales forman dos
Triac BTA16 600V 16A TO-220
BTA16 600B es un Triac estándar utilizado para aplicaciones de propósito general de corriente alterna de onda completa y de
Triac 800V 8A, TIC225N
TIC 225A 800V
Transistor Mosfet IRF1010E, 60V 84A, TO-220
IRF1010E MOSFET Canal N 60V – 84A TO-220, está diseñado para soportar un nivel específico de energía en el modo
Transistor Bipolar NPN 2SC4793, 230V, 20W, 1A, 100Mhz
Características: Tipo – NPN Voltaje colector-emisor: 230 V Voltaje de la base del colector: 230 V Voltaje de la base
Transistor PNP A1837 Bipolar
El A1837 es un Transistor de uso general de alta Tipo de transistor PNP Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente
Transistor de Potencia Bipolar PNP, TIP36C 25A 100V, TO-247
Número de parte: TIP36C Amperios: 25a Voltaje: 100V Paquete: TO-3PB Tipo de terminal / terminal: radial Número de terminales /
Transistor MOSFET Canal N P12NA60FI, TO-247F
Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V Corriente continua de
Transistor Mosfet, Canal N, 100V 180A, HY-3810, TO-220
Máxima disipación de potencia (Pd): 580 W Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 100 V Voltaje máximo fuente – puerta
Transistor BC546 NPN 80V 0.1A TO-92
Transistor BC546 es un transistor de silicio de baja potencia de propósitos generales utilizado en gran variedad de equipos electrónicos.
Transistor Bipolar BD136 PNP 45V 1A TO-126
Es un amplificador de audio que soporta una corriente máxima de 1 ampere, está compuesto en su estructura por tres
Amplificador Operacional Cuádruple TL074CN
El TL074CN es un Amplificador Operacional cuádruple de propósito general con entrada JFET y de bajo ruido diseñado para ofrecer
Transistor Bipolar (BJT) S9013 NPN, 25V 500mA TO-92
Transistor Bipolar (BJT) NPN Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio hFE con buena linealidad IC: 500 mA PD: 625 mW
Transistor A1020 PNP, 50V, 2A, 100MHz, TO-92
Tipo: PNP Tensión Colector-Emisor: -50 V Voltaje de la base del colector: -50 V Voltaje Emisor-Base: -5 V Corriente de colector: -2 A Disipación del colector: 0,9 W Ganancia de corriente
Tiristor SCR 2N5064 0.8A 200V TO-92
Tiristor SCR 0.8A 200V TO92 Voltaje – Off State 200V Corriente – On State (It (RMS)) (Max) 800mA Temperatura -40°C
Transistor TIP127 PNP, 100V 5A, TO-220
El TIP127 es un transistor con darlington diseñado para su uso en amplificadores de propósito general y aplicaciones de conmutación
Transistor Bipolar BJT S9014, NPN, 50V 0.1A, TO-92
Transistor S9014 pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de pre-amplificador de bajo nivel y bajo ruido. Alta disipación
Transistor 2SK30A JFET Canal N, 50V, 6.5 mA, TO-92
Transistor 2SK30A pequeña señal, conmutador de canal N. Este dispositivo está diseñado para aplicaciones de conmutación digital con baja resistencia.
Transistor Bipolar NPN C2240, 120V 100mA, 300mW, 100MHz, TO-92
El 2SC2240 es un transistor para baja frecuencia y bajo ruido. Aplicaciones: Este dispositivo está diseñado para reducir la figura
Transistor de Potencia PNP 2SB688, 120V 8A
El transistor 2SB688 podría tener una ganancia de corriente entre 55 y 160. Especificaciones: Tipo – PNP Voltaje del colector-emisor:
Transistor C945 BJT NPN, 50V 150mA TO-92
Un transistor C945 es un tipo de transistor de unión bipolar NPN. Los circuitos donde se requiere un transistor de
Transistor Bipolar de Potencia PNP TIP32C 3A 100V
Una amplia gama de transistores bipolares NPN y PNP de STMicroelectronics que incluye dispositivos para aplicaciones generales, Darlington, y de
Transistor BC558 PNP 50V 0.1A TO-92
Transistor Bipolar (BJT) PNP IC max: 100 mA FT : 150 MHz PTOT: 500 mW VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO:
Transistor de Potencia NPN 120V 8A, 2SD718 TO-3P
El transistor 2SD718 es un amplificador de potencia de audio, convertidor de DC a DC y aplicaciones de conmutación. Características:
Transistor Bipolar (BJT) S9012 PNP, 25V 500mA TO-92
Transistor Bipolar (BJT) PNP Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio hFE con buena linealidad IC: 500 mA PD: 625 mW
Transistor Bipolar BD137 NPN 60V, 0.5A TO-126
El Transistor Bipolar BD137 (BJT) NPN es un transistor elaborado de Silicio, es una placa de material semiconductor con tres
Transistor Mosfet IRF630N, 200V 9A, TO-220
IRF630 es un MOSFET de potencia de tercera generación especialmente diseñado para aplicaciones que requieren conmutación de alta velocidad. Este
Transistor Mosfet IRF740, 400V 10A, TO-220
El IRF740 es un MOSFET de potencia de canal N de 400 V, el MOSFET de potencia son la tercera
Transistor 2SC2655, NPN, 50V, 2A, TO-92L
Transistor 2SC2655 de pequeña señal diseñado para su uso como amplificador e interruptor de potencia. Complemento 2SA1020 Aplicaciones: Industrial Especificaciones:
Transistor Silicon 2SC1678 NPN 65V 3A 3W TO-220
El 2SC1678 es un transistor NPN de silicio planar epitaxial. Uso recomendado para la aplicación de etapa de salida del
Transistor 2N4401 NPN, 40V, 600mA, 700mW, 250MHz,TO-92
Transistor 2N4401 de pequeña señal, NPN 40 V, 0.6 A, 5 MHz de baja potencia usado para propósito general en