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Transistor Mosfet 4N60A Canal N, 600V 2.6A, TO-220F

Q12.00
Características: Mosfet de canal N Carga de compuerta baja (típica 15 nC) Low C rss (típico 8.0 pF) Conmutación rápida
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Transistor NPN de Silicio C2073, 150V 1.5A, TO-220

Q6.00
El transistor C2073 está diseñado para uso en aplicaciones de salida vertical, amplificador de potencia de uso general. Voltaje del
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Amplificador Operacional Cuádruple TL074CN

Q9.00
El TL074CN es un Amplificador Operacional cuádruple de propósito general con entrada JFET y de bajo ruido diseñado para ofrecer
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Transistor TIP127 PNP, 100V 5A, TO-220

Q12.00
El TIP127 es un transistor con   darlington  diseñado para su uso en amplificadores de propósito general y aplicaciones de conmutación
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Transistor Darlington MPSA13 NPN, 30V 500mA, 625mW, 125MHz, TO-92

Q2.00
Transistor Darlington NPN de propósito general. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 10
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Transistor Bipolar NPN C4793, 230V, 20W, 1A, 100Mhz

Q8.00
Características: Tipo – NPN Voltaje colector-emisor: 230 V Voltaje de la base del colector: 230 V Voltaje de la base
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Transistor PNP A1837 Bipolar

Q8.00
El A1837 es un Transistor de uso general de alta Tipo de transistor PNP Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente
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Transistor TIP120 NPN, 60V 5A, TO-220

Q9.00
El TIP120 es un transistor con polaridad NPN con darlington con encapsulado TO-220. Diseñado para aplicaciones de amplificación de uso
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Transistor Mosfet IRFP240, 200V 20A

Q30.00
Especificaciones: Tipo de paquete:  TO-247 Tipo de transistor:  Canal N Voltaje máximo aplicado desde el drenaje hasta la fuente:  200 V El voltaje
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Transistor de Potencia PNP B688, 120V 8A

Q12.00
El transistor 2SB688 podría tener una ganancia de corriente entre 55 y 160. Especificaciones: Tipo – PNP Voltaje del colector-emisor:
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Transistor 2SA992 PNP, 120V 50mA, 500mW, 100MHz, TO-92

Q3.00
Voltaje colector-emisor (Vceo): 120V Voltaje de la base del colector (Vcbo): 120 V Corriente del colector (Ic): 0.05A hfe: 200-800
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Transistor 2SB647 PNP 120V 1A, 0.9W, 140MHz, TO-92

Q5.00
Tipo de transistor: PNP Polarización: bipolar Voltaje colector-emisor: 120V Corriente del colector: 1A Energía: 900 mW Caso: TO-92 Montaje: THT
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Transistor 2SA1266 PNP, 50V, 150mA, 400mW, TO-92

Q3.00
2SA1266 es un dispositivo semiconductor que se utiliza para amplificar o cambiar señales electrónicas y energía eléctrica. Está compuesto de
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Transistor Bipolar MPSA92 PNP, TO-92

Q2.00
El MPSA92 se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando
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Transistor Mosfet IRF530 Canal N, 100V 17A, TO-220

Q10.00
Estos transistores están diseñados para uso en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, conversores DC a DC, controladores de motor
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Transistor de Potencia PNP para Amplificador D1047 TO-3P-3L

Q12.00
– Tipo de Transistor: PNP – Colector de corriente (Ic) (máximo): 12A – Distribución del emisor del colector de voltaje
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Transistor Bipolar BD136 PNP 45V 1A TO-126

Q2.00
Es un amplificador de audio que soporta una corriente máxima de 1 ampere, está compuesto en su estructura por tres
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Transistor Bipolar BD138 PNP 60V 1A TO-126

Q2.00
Consiste en una plaquita de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente tipo de conductibilidad eléctrica los cuales forman dos
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Triac BTA08 600C 8A 600V TO-220

Q16.00
4A corriente de puerta máxima Epoxy con clasificación de llama UL94V-0 Aplicaciones: Industrial, HVAC, Control de Motor, Iluminación Especificaciones Tensión
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Transistor TOSHIBA PNP 2SA1943 Bipolar 230V 15A 150W TO-3PL

Q37.00
Tipo de transistor PNP Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente de colector 15A Poder disipado 150W Carcasa TO3PL Montaje THT
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Transistor Bipolar BD135 NPN 180V 1.5A TO-126

Q3.50
Es un amplificador de audio con una corriente máxima de colector de 1.5 ampere con tres regiones consecutivas de diferente
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Transistor TIP126, 5A 80V, TO-220

Q7.00
Transistor TIP126 Tipo T para aplicaciones de switcheo y conmutación lineal de potencia media. Complementario a TIP120 /121/122/127 Aplicaciones: Industrial
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Transistor PNP de Potencia 2SB511J 35V 1.5A 10W TO-220

Q7.00
Modelo: 2SB511 Polaridad: PNP Frecuencia máxima de funcionamiento: 8 MHz Tensión del colector-emisor máx .: -35 V Tensión de la
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Triac BT137 600V 8A TO-220

Q7.00
El BT137 es una puerta sensitiva pasivada planar triac de cuatro cuadrantes destinado al uso en aplicaciones de conmutación bidireccional
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Triac BT136 600V 4A TO-220

Q6.00
El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a
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Transistor TIP122 NPN, 100V 5A, TO-220

Q6.00
El transistor de potencia bipolar Darlington está diseńado para aplicaciones de amplificador de uso general y conmutación de baja velocidad.
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Transistor TIP105 60V 8A TO-220

Q6.00
TIP100, TIP101, TIP102 (NPN); TIP105, TIP106, TIP107 (PNP) son dispositivos complementarios. Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W Tensión colector-base
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Transistor C3179 NPN 60V 4A 30W TO-220

Q6.00
Tipo – npn Voltaje colector-emisor: 60 V Voltaje base colector: 60 V Voltaje de la base del emisor: 6 V
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Transistor 2N2904 PNP 60V 0.6A TO-39

Q12.00
2N2904 Transistor BJT PNP -40V / -600mA TO-39, semiconductor bipolar de juntura PNP. Su estructura es en plástico con tres
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Transistor Silicon 2SC1678 NPN 65V 3A 3W TO-220

Q10.00
El 2SC1678 es un transistor NPN de silicio planar epitaxial. Uso recomendado para la aplicación de etapa de salida del
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Triac BTA41-800B 600V 40A

Q40.00
BTA41 600B es un TRIAC de 3 pines con aislamiento estándar para conmutación de CA de uso general y se
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Transistor Metálico 2N2222A, NPN 40V 800mA, TO-18

Q15.00
El 2N2222A es un transistor NPN de conmutación, es uno de los transistores más populares, permite corrientes de hasta 800mA
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Transistor NPN D882 40V 3A TO-126

Q8.00
El D882 es un transistor NPN. Puede manejar una corriente de colector de hasta 3A y soporta una tensión máxima
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Transistor BC546 NPN 80V 0.1A TO-92

Q2.00
Transistor BC546 es un transistor de silicio de baja potencia de propósitos generales utilizado en gran variedad de equipos electrónicos.
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Transistor BC337 NPN 25V 0.8A TO-92

Q2.00
Es un transistor bipolar, compuesto por Silicio. Utilizado en amplificadores de audio, equipos de medicina y equipos informáticos.
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Tiristor SCR C106D 400V, 4A TO-126

Q6.00
Rectificador controlado de silicio de compuerta sensible Corriente total RMS max: 4 A  (Con ángulo de conducción de 180°) Corriente
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Transistor TIP31C NPN 100V 3A 40W TO-220

Q6.00
Transistor NPN de media potencia IC max: 3 A IC pico max: 5 A IB max: 1 A PTOT: 40
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Transistor TIP42C PNP 100 V 6A 65W TO-220

Q6.00
Transistor de potencia TIP42C PNP, con encapsulado de plástico TO-220, este transistor es de tipo bipolar de propósito general es
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Transistor BD139 NPN 80V 1.5A TO-126

Q2.00
El BD139G es un transistor de silicio NPN de potencia media de plástico diseñado para su uso como amplificadores de
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Transistor NPN TIP41C, 100V 6A 65W, TO-220

Q6.00
Transistor de potencia TIP41C NPN, con encapsulado de plástico TO-220, este transistor es de tipo bipolar de propósito general es
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Transistor Bipolar de Potencia PNP TIP32C 3A 100V

Q6.00
Una amplia gama de transistores bipolares NPN y PNP de STMicroelectronics que incluye dispositivos para aplicaciones generales, Darlington, y de
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Transistor BD140 PNP 80V 1.5A TO-126

Q2.00
El BD140G es un transistor de silicio de 80V PNP de potencia media bipolar diseñado para su uso como amplificadores
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Transistor Bipolar D669A NPN 180V 1.5A TO-126

Q4.00
Disipación total del dispositivo (Pc): 12 W Tensión colector-base (Vcb): 45 V Tensión colector-emisor (Vce): 45 V Tensión emisor-base (Veb):
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Transistor de Potencia Mosfet IRFP260M 200V 50A TO-247AC

Q75.00
El IRFP260NPBF de International Rectifier es un MOSFET de potencia HEXFET de canal N simple de 200V en encapsulado TO-247AC.
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Transistor A733 PNP 50V 100mA TO-92

Q1.50
Transistor PNP, A733 Encapsulado TO-92 de 3 pines Voltaje de Colector a Base (CB) es -60V Voltaje de Colector a
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Transistor TIP30C PNP -100V 3A 30W TO-220

Q6.00
Transistor TIP30C de silicio PNP epitaxial ofrece voltaje colector-base de -100V y corriente de colector de -1A. Está diseńado para
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MOSFET Canal N Modelo IRFZ44N 55V 49A 110W TO-220

Q10.00
El MOSFET IRFZ44N es un transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor). Es un componente construido para manejar
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Mosfet NC-POWER IRF540 Canal N, 100V 33A

Q12.00
Material: metal-óxido-semiconductor Polaridad: canal N Encapsulado: TO 220 Conmutador de Potencia Corriente de drenador Ic: 33 Ampere Voltaje máximo drenador
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Transistor NPN C2330 7V 100mA

Q3.00
Transistor NPN de alto voltaje para la amplificación de video. IC: 100 mA, PTOT: 900 mW, VCEO: 300 V, VCBO:
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Transistor PNP TIP117 100V 2A TO-220

Q7.00
El transistor de potencia bipolar Darlington está diseńado para aplicaciones de amplificador de uso general y conmutación de baja velocidad.
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Transistor TIP35C NPN, 100V 25A, TO-247

Q12.00
TIP35C Transistor BJT NPN 100V – 25A TO-247, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN. Este transistor es capaz
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Transistor TIP102 100V 15A TO-220

Q7.00
Transistor Darlington NPN de propósito general Dispositivo diseńado para operar como amplificador de propósito general y conmutación de baja velocidad
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Transistor Potencia MJ2955 PNP 100V, 15A, TO-3

Q12.00
El MJ2955 es un transistor de potencia de silicio, complementario, PNP de -60V para usarse en aplicaciones de propósito general
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Transistor De Silicio 2SC4468 NPN

Q18.00
Es un transistor de potencia con un encapsulado TO3P n-p-n compuesto por silicio, en su composición posee una placa de
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Transistor MOSFET IRF1010E Canal N 55V 68A TO-220

Q12.00
Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 68A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 55V Resistencia en Estado Conductor Rds(on):