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Transistor NPN C4460, 500V 15A, TO-3PML
Especificaciones:
Transistor de Potencia PNP B688, 120V 8A
El transistor 2SB688 podría tener una ganancia de corriente entre 55 y 160. Especificaciones: Tipo – PNP Voltaje del colector-emisor:
Transistor Darlington MPSA14 NPN, 30V 500mA, 65mW, 125MHz, TO-92
Transistor MPSA14 de pequeña señal con darlington diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación. El transistor NPN es uno
Transistor 2SA992 PNP, 120V 50mA, 500mW, 100MHz, TO-92
Voltaje colector-emisor (Vceo): 120V Voltaje de la base del colector (Vcbo): 120 V Corriente del colector (Ic): 0.05A hfe: 200-800
Transistor 2SB647 PNP 120V 1A, 0.9W, 140MHz, TO-92
Tipo de transistor: PNP Polarización: bipolar Voltaje colector-emisor: 120V Corriente del colector: 1A Energía: 900 mW Caso: TO-92 Montaje: THT
Transistor 2SA1266 PNP, 50V, 150mA, 400mW, TO-92
2SA1266 es un dispositivo semiconductor que se utiliza para amplificar o cambiar señales electrónicas y energía eléctrica. Está compuesto de
Transistor Mosfet IRF530 Canal N, 100V 17A, TO-220
Estos transistores están diseñados para uso en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, conversores DC a DC, controladores de motor
Transistor de Potencia PNP para Amplificador D1047 TO-3P-3L
– Tipo de Transistor: PNP – Colector de corriente (Ic) (máximo): 12A – Distribución del emisor del colector de voltaje
Transistor Bipolar BD136 PNP 45V 1A TO-126
Es un amplificador de audio que soporta una corriente máxima de 1 ampere, está compuesto en su estructura por tres
Transistor Bipolar BD138 PNP 60V 1A TO-126
Consiste en una plaquita de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente tipo de conductibilidad eléctrica los cuales forman dos
Triac BTA08 600C 8A 600V TO-220
4A corriente de puerta máxima Epoxy con clasificación de llama UL94V-0 Aplicaciones: Industrial, HVAC, Control de Motor, Iluminación Especificaciones Tensión
Triac TIC246D 16A 400V TO-220
TIC 246D TRANSISTOR TRIAC 400V 16A 50mA
Transistor Darlington D679 NPN 60V 4A TO-126
Polaridad del transistor: NPN Voltaje del emisor del colector V (br) ceo: 60V Pd de disipación de potencia: 40W Corriente
Transistor Bipolar BD135 NPN 180V 1.5A TO-126
Es un amplificador de audio con una corriente máxima de colector de 1.5 ampere con tres regiones consecutivas de diferente
Transistor TIP126 5A 80V TO-220
Transistor TIP126 Tipo T para aplicaciones de switcheo y conmutación lineal de potencia media. Complementario a TIP120 /121/122/127 Aplicaciones: Industrial
Transistor PNP de Potencia 2SB511J 35V 1.5A 10W TO-220
Modelo: 2SB511 Polaridad: PNP Frecuencia máxima de funcionamiento: 8 MHz Tensión del colector-emisor máx .: -35 V Tensión de la
Triac BT137 600V 8A TO-220
El BT137 es una puerta sensitiva pasivada planar triac de cuatro cuadrantes destinado al uso en aplicaciones de conmutación bidireccional
Triac BT136 600V 4A TO-220
El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a
Transistor TIP122 NPN, 100V 5A, TO-220
El transistor de potencia bipolar Darlington está diseńado para aplicaciones de amplificador de uso general y conmutación de baja velocidad.
Transistor TIP106 100V 8A TO-220
El transistor de potencia bipolar Darlington está diseńado para aplicaciones de amplificador de uso general y conmutación de baja velocidad.
Transistor TIP105 60V 8A TO-220
TIP100, TIP101, TIP102 (NPN); TIP105, TIP106, TIP107 (PNP) son dispositivos complementarios. Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W Tensión colector-base
Transistor C3179 NPN 60V 4A 30W TO-220
Tipo – npn Voltaje colector-emisor: 60 V Voltaje base colector: 60 V Voltaje de la base del emisor: 6 V
Transistor 2N2904 PNP 60V 0.6A TO-39
2N2904 Transistor BJT PNP -40V / -600mA TO-39, semiconductor bipolar de juntura PNP. Su estructura es en plástico con tres
Transistor Silicon 2SC1678 NPN 65V 3A 3W TO-220
El 2SC1678 es un transistor NPN de silicio planar epitaxial. Uso recomendado para la aplicación de etapa de salida del
Triac BTA41800B 800V 40A
Los Triacs son dispositivos semiconductores de tres terminales que se usan para controlar el flujo de corriente promedio a una
Transistor NPN D882 40V 3A TO-126
El D882 es un transistor NPN. Puede manejar una corriente de colector de hasta 3A y soporta una tensión máxima
Transistor BC546 NPN 80V 0.1A TO-92
Transistor BC546 es un transistor de silicio de baja potencia de propósitos generales utilizado en gran variedad de equipos electrónicos.
Transistor BC337 NPN 25V 0.8A TO-92
Es un transistor bipolar, compuesto por Silicio. Utilizado en amplificadores de audio, equipos de medicina y equipos informáticos.
Tiristor SCR C106MG 600V 2.55A TO-126
Tiristor SCR, C106MG, 600V, 2.55A, 500?A, TO-126, 3-Pines Switch electrónico de corriente directa útil para interrumpir y/o continuar la corriente
Transistor TIP31C NPN 100V 3A 40W TO-220
Transistor NPN de media potencia IC max: 3 A IC pico max: 5 A IB max: 1 A PTOT: 40
Transistor BD137 NPN 60V 0.5A TO-126
Transistor Bipolar BD137 (BJT) NPN Este transistor bipolar BD137 (BJT) puede ser utilizado como switch electrónico, amplificador o regulador de
Transistor TIP42C PNP 100 V 6A 65W TO-220
Transistor de potencia TIP42C PNP, con encapsulado de plástico TO-220, este transistor es de tipo bipolar de propósito general es
Transistor BD139 NPN 80V 1.5A TO-126
El BD139G es un transistor de silicio NPN de potencia media de plástico diseñado para su uso como amplificadores de
Transistor TIP41C NPN 100V 6A 65W TO-220
Transistor de potencia TIP41C NPN, con encapsulado de plástico TO-220, este transistor es de tipo bipolar de propósito general es
Transistor Bipolar de Potencia PNP TIP32C 3A 100V
Una amplia gama de transistores bipolares NPN y PNP de STMicroelectronics que incluye dispositivos para aplicaciones generales, Darlington, y de
Transistor BD140 PNP 80V 1.5A TO-126
El BD140G es un transistor de silicio de 80V PNP de potencia media bipolar diseñado para su uso como amplificadores
Transistor Bipolar D669A NPN 180V 1.5A TO-126
Disipación total del dispositivo (Pc): 12 W Tensión colector-base (Vcb): 45 V Tensión colector-emisor (Vce): 45 V Tensión emisor-base (Veb):
Transistor de Potencia Mosfet IRFP260M 200V 50A TO-247AC
El IRFP260NPBF de International Rectifier es un MOSFET de potencia HEXFET de canal N simple de 200V en encapsulado TO-247AC.
Transistor A733 PNP 50V 100mA TO-92
Transistor PNP, A733 Encapsulado TO-92 de 3 pines Voltaje de Colector a Base (CB) es -60V Voltaje de Colector a
Transistor TIP30C PNP -100V 3A 30W TO-220
Transistor TIP30C de silicio PNP epitaxial ofrece voltaje colector-base de -100V y corriente de colector de -1A. Está diseńado para
MOSFET Canal N Modelo IRFZ44N 55V 49A 110W TO-220
El MOSFET IRFZ44N es un transistor de tecnología MOS-FET (MetalOxideSemiconductor Field Effect Transistor). Es un componente construido para manejar
Mosfet NC-POWER IRF540 Canal N, 100V 33A
Material: metal-óxido-semiconductor Polaridad: canal N Encapsulado: TO 220 Conmutador de Potencia Corriente de drenador Ic: 33 Ampere Voltaje máximo drenador
Transistor NPN C2330 7V 100mA
Transistor NPN de alto voltaje para la amplificación de video. IC: 100 mA, PTOT: 900 mW, VCEO: 300 V, VCBO:
Transistor PNP TIP117 100V 2A TO-220
El transistor de potencia bipolar Darlington está diseńado para aplicaciones de amplificador de uso general y conmutación de baja velocidad.
Transistor TIP35C NPN, 100V 25A, TO-247
TIP35C Transistor BJT NPN 100V – 25A TO-247, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN. Este transistor es capaz
Transistor TIP102 100V 15A TO-220
Transistor Darlington NPN de propósito general Dispositivo diseńado para operar como amplificador de propósito general y conmutación de baja velocidad
Transistor Potencia 2N2955 PNP 100V – 15A Encapsulado TO-3
El MJ2955 es un transistor de potencia de silicio, complementario, PNP de -60V para usarse en aplicaciones de propósito general
Transistor De Silicio 2SC4468 NPN
Es un transistor de potencia con un encapsulado TO3P n-p-n compuesto por silicio, en su composición posee una placa de
Transistor MOSFET IRF1010E Canal N 55V 68A TO-220
Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 68A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 55V Resistencia en Estado Conductor Rds(on):
Transistor Potencia 2N3055 NPN 60V – 15A Encapsulado TO-3
El 2N3055 es un transistor NPN de potencia diseńado para aplicaciones de propósito general. El transistor de corriente 2N3055 es
MOSFET Canal N P12NA60FI
Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V Corriente continua de
Tiristor SCR BT151 500V 12A TO-220
SCR BT151 Switch electrónico de corriente directa útil para interrumpir y/o continuar la corriente de alimentación de un dispositivo. Su
Transistor BD235 NPN 60V 2A TO-126
Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W Tensión colector-base (Vcb): 60 V Tensión colector-emisor (Vce): 60 V Tensión emisor-base (Veb):
MOSFET Canal N Modelo IRF511 5.6A 80V
El IRF511 es un Transistor de efecto de campo de potencia Silicon Gate TMOS de modo de mejora de canal
Transistor de Potencia Bipolar PNP TIP36C 25A 100V
Número de parte: TIP36C Amperios: 25a Voltaje: 100V Paquete: TO-3PB Tipo de terminal / terminal: radial Número de terminales /
Triac BT138 600V 12A TO-220
TRIAC de 600V y 12A, puede ser utilizado en aplicaciones típicas como control de motores, iluminación doméstica e industrial, entre
Triac BTA16 600V 16A TO-220
Corriente de Encendido Medio Nominal 16A Corriente Máxima de Disparo de Puerta 100mA Tensión Inversa de Pico Repetitiva 600V Corriente
Tiristor SCR 2N5064 0.8A 200V TO-92
Tiristor SCR 0.8A 200V TO92 Voltaje – Off State 200V Corriente – On State (It (RMS)) (Max) 800mA Temperatura -40°C