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Transistor Mosfet 4N60A Canal N, 600V 2.6A, TO-220F
Características: Mosfet de canal N Carga de compuerta baja (típica 15 nC) Low C rss (típico 8.0 pF) Conmutación rápida
Transistor NPN de Silicio C2073, 150V 1.5A, TO-220
El transistor C2073 está diseñado para uso en aplicaciones de salida vertical, amplificador de potencia de uso general. Voltaje del
Triac 800V 8A, TIC225N
TIC 225A 800V
Amplificador Operacional Cuádruple TL074CN
El TL074CN es un Amplificador Operacional cuádruple de propósito general con entrada JFET y de bajo ruido diseñado para ofrecer
Transistor TIP127 PNP, 100V 5A, TO-220
El TIP127 es un transistor con darlington diseñado para su uso en amplificadores de propósito general y aplicaciones de conmutación
Transistor Darlington MPSA13 NPN, 30V 500mA, 625mW, 125MHz, TO-92
Transistor Darlington NPN de propósito general. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 10
Transistor Bipolar NPN C4793, 230V, 20W, 1A, 100Mhz
Características: Tipo – NPN Voltaje colector-emisor: 230 V Voltaje de la base del colector: 230 V Voltaje de la base
Transistor PNP A1837 Bipolar
El A1837 es un Transistor de uso general de alta Tipo de transistor PNP Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente
Transistor NPN Toshiba C5198, 140V 10A
Es un dispositivo de transistor de unión bipolar NPN El voltaje del colector al emisor es de 140V El voltaje
Transistor TIP120 NPN, 60V 5A, TO-220
El TIP120 es un transistor con polaridad NPN con darlington con encapsulado TO-220. Diseñado para aplicaciones de amplificación de uso
Transistor Mosfet IRFP240, 200V 20A
Especificaciones: Tipo de paquete: TO-247 Tipo de transistor: Canal N Voltaje máximo aplicado desde el drenaje hasta la fuente: 200 V El voltaje
Transistor NPN C4460, 500V 15A, TO-3PML
Especificaciones:
Transistor 2SA992 PNP, 120V 50mA, 500mW, 100MHz, TO-92
Voltaje colector-emisor (Vceo): 120V Voltaje de la base del colector (Vcbo): 120 V Corriente del colector (Ic): 0.05A hfe: 200-800
Transistor 2SB647 PNP 120V 1A, 0.9W, 140MHz, TO-92
Tipo de transistor: PNP Polarización: bipolar Voltaje colector-emisor: 120V Corriente del colector: 1A Energía: 900 mW Caso: TO-92 Montaje: THT
Transistor 2SA1266 PNP, 50V, 150mA, 400mW, TO-92
2SA1266 es un dispositivo semiconductor que se utiliza para amplificar o cambiar señales electrónicas y energía eléctrica. Está compuesto de
Transistor Bipolar MPSA92 PNP, TO-92
El MPSA92 se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando
Transistor Mosfet IRF530 Canal N, 100V 17A, TO-220
Estos transistores están diseñados para uso en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, conversores DC a DC, controladores de motor
Transistor de Potencia PNP para Amplificador D1047 TO-3P-3L
– Tipo de Transistor: PNP – Colector de corriente (Ic) (máximo): 12A – Distribución del emisor del colector de voltaje
Transistor Bipolar BD136 PNP 45V 1A TO-126
Es un amplificador de audio que soporta una corriente máxima de 1 ampere, está compuesto en su estructura por tres
Transistor Bipolar BD138 PNP 60V 1A TO-126
Consiste en una plaquita de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente tipo de conductibilidad eléctrica los cuales forman dos
Triac BTA08 600C 8A 600V TO-220
4A corriente de puerta máxima Epoxy con clasificación de llama UL94V-0 Aplicaciones: Industrial, HVAC, Control de Motor, Iluminación Especificaciones Tensión
Triac TIC246D 16A 400V TO-220
TIC 246D TRANSISTOR TRIAC 400V 16A 50mA
Transistor Bipolar BD135 NPN 180V, 1.5A TO-126
El BD135 es un transistor de bajo voltaje de polaridad NPN, fabricado con tecnología planar epitaxial y diseñado para su
Transistor TIP126, 5A 80V, TO-220
Transistor TIP126 Tipo T para aplicaciones de switcheo y conmutación lineal de potencia media. Complementario a TIP120 /121/122/127 Aplicaciones: Industrial
Transistor PNP de Potencia 2SB511J 35V 1.5A 10W TO-220
Modelo: 2SB511 Polaridad: PNP Frecuencia máxima de funcionamiento: 8 MHz Tensión del colector-emisor máx .: -35 V Tensión de la
Triac BT137 600V 8A TO-220
El BT137 es una puerta sensitiva pasivada planar triac de cuatro cuadrantes destinado al uso en aplicaciones de conmutación bidireccional
Triac BT136 600V 4A TO-220
El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a
Transistor TIP122 NPN, 100V 5A, TO-220
El transistor de potencia bipolar Darlington está diseńado para aplicaciones de amplificador de uso general y conmutación de baja velocidad.
Transistor TIP105 60V 8A TO-220
TIP100, TIP101, TIP102 (NPN); TIP105, TIP106, TIP107 (PNP) son dispositivos complementarios. Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W Tensión colector-base
Transistor C3179 NPN 60V 4A 30W TO-220
Tipo – npn Voltaje colector-emisor: 60 V Voltaje base colector: 60 V Voltaje de la base del emisor: 6 V
Transistor 2N2904 PNP 60V 0.6A TO-39
2N2904 Transistor BJT PNP -40V / -600mA TO-39, semiconductor bipolar de juntura PNP. Su estructura es en plástico con tres
Transistor Silicon 2SC1678 NPN 65V 3A 3W TO-220
El 2SC1678 es un transistor NPN de silicio planar epitaxial. Uso recomendado para la aplicación de etapa de salida del
Triac BTA41-800B 600V 40A
BTA41 600B es un TRIAC de 3 pines con aislamiento estándar para conmutación de CA de uso general y se
Transistor Metálico 2N2222A, NPN 40V 800mA, TO-18
El 2N2222A es un transistor NPN de conmutación, es uno de los transistores más populares, permite corrientes de hasta 800mA
Transistor NPN D882 40V 3A TO-126
El D882 es un transistor NPN. Puede manejar una corriente de colector de hasta 3A y soporta una tensión máxima
Transistor BC546 NPN 80V 0.1A TO-92
Transistor BC546 es un transistor de silicio de baja potencia de propósitos generales utilizado en gran variedad de equipos electrónicos.
Transistor BC337 NPN 25V 0.8A TO-92
Es un transistor bipolar, compuesto por Silicio. Utilizado en amplificadores de audio, equipos de medicina y equipos informáticos.
Tiristor SCR C106D 400V, 4A TO-126
Rectificador controlado de silicio de compuerta sensible Corriente total RMS max: 4 A (Con ángulo de conducción de 180°) Corriente
Transistor TIP31C NPN 100V 3A 40W TO-220
Transistor NPN de media potencia IC max: 3 A IC pico max: 5 A IB max: 1 A PTOT: 40
Transistor TIP42C PNP 100 V 6A 65W TO-220
Transistor de potencia TIP42C PNP, con encapsulado de plástico TO-220, este transistor es de tipo bipolar de propósito general es
Transistor BD139 NPN 80V 1.5A TO-126
El BD139G es un transistor de silicio NPN de potencia media de plástico diseñado para su uso como amplificadores de
Transistor NPN TIP41C, 100V 6A 65W, TO-220
Transistor de potencia TIP41C NPN, con encapsulado de plástico TO-220, este transistor es de tipo bipolar de propósito general es
Transistor Bipolar de Potencia PNP TIP32C 3A 100V
Una amplia gama de transistores bipolares NPN y PNP de STMicroelectronics que incluye dispositivos para aplicaciones generales, Darlington, y de
Transistor BD140 PNP 80V 1.5A TO-126
El BD140G es un transistor de silicio de 80V PNP de potencia media bipolar diseñado para su uso como amplificadores
Transistor Bipolar D669A NPN 180V 1.5A TO-126
Disipación total del dispositivo (Pc): 12 W Tensión colector-base (Vcb): 45 V Tensión colector-emisor (Vce): 45 V Tensión emisor-base (Veb):
Transistor de Potencia Mosfet IRFP260M 200V 50A TO-247AC
El IRFP260NPBF de International Rectifier es un MOSFET de potencia HEXFET de canal N simple de 200V en encapsulado TO-247AC.
Transistor A733 PNP 50V 100mA TO-92
Transistor PNP, A733 Encapsulado TO-92 de 3 pines Voltaje de Colector a Base (CB) es -60V Voltaje de Colector a
Transistor TIP30C PNP -100V 3A 30W TO-220
Transistor TIP30C de silicio PNP epitaxial ofrece voltaje colector-base de -100V y corriente de colector de -1A. Está diseńado para
Transistor MOSFET Canal N,IRFZ44N, 55V 49A 110W, TO-220
El IRFZ44N es un transistor mosfet de potencia, de canal N, hexfet con muy baja resistencia por unidad de superficie
Mosfet NC-POWER IRF540 Canal N, 100V 33A
Material: metal-óxido-semiconductor Polaridad: canal N Encapsulado: TO 220 Conmutador de Potencia Corriente de drenador Ic: 33 Ampere Voltaje máximo drenador
Transistor NPN C2330 7V 100mA
Transistor NPN de alto voltaje para la amplificación de video. IC: 100 mA, PTOT: 900 mW, VCEO: 300 V, VCBO:
Transistor PNP TIP117 100V 2A TO-220
El transistor de potencia bipolar Darlington está diseńado para aplicaciones de amplificador de uso general y conmutación de baja velocidad.
Transistor de Potencia Bipolar NPN, TIP35C 100V 25A, TO-247
TIP35C Transistor BJT NPN 100V – 25A TO-247, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN. Este transistor es capaz
Transistor TIP102 100V 15A TO-220
Transistor Darlington NPN de propósito general Dispositivo diseńado para operar como amplificador de propósito general y conmutación de baja velocidad
Transistor Potencia MJ2955 PNP 100V, 15A, TO-3
El MJ2955 es un transistor de potencia de silicio, complementario, PNP de -60V para usarse en aplicaciones de propósito general
Transistor De Silicio 2SC4468 NPN
Es un transistor de potencia con un encapsulado TO3P n-p-n compuesto por silicio, en su composición posee una placa de
Transistor MOSFET IRF1010E Canal N 55V 68A TO-220
Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 68A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 55V Resistencia en Estado Conductor Rds(on):
Transistor Potencia 2N3055 NPN 60V, 15A, TO-3
2N3055 Transistor BJT NPN 70V – 15A TO-3, semiconductor bipolar de juntura NPN. Este transistor es de alta potencia, capaz