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Transistor Mosfet IRFP260M, 200V 50A, TO-247AC

Q75.00

IRFP260 es un transistor de efecto de campo de potencia o MOSFET. Está disponible en el paquete TO-247AC que también

Transistor Mosfet IRFP460, 500V 20A, TO-247

Q45.00

El transistor IRFP460 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para

Transistor Mosfet IRFP150N, 100V 42A, TO-247

Q45.00

El transistor IRFP150N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para

Transistor TOSHIBA PNP 2SA1943 Bipolar, 230V 15A 150W, TO-3PL

Q45.00

Tipo de transistor PNP Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente de colector 15A Poder disipado 150W Carcasa TO3PL Montaje THT

Transistor TOSHIBA NPN 2SC5200 Bipolar, 230V 15A 150W, TO-3PL

Q45.00

Tipo de transistor NPN Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente de colector 15A Pérdidas de potencia 150W Carcasa TO3PL Montaje

Transistor Bipolar de Buerta Aislada (IGBT), G4PC50U

Q40.00

El G4PC50U (IRG4PC50U) es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de alta potencia y 600V, diseñado por International Rectifier

Transistor Bipolar de Buerta Aislada (IGBT), IRG4PC50W

Q40.00

El IRG4PC50W es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de alta potencia y alta velocidad, diseñado por International Rectifier

Triac BTA41-800B 600V 40A

Q40.00

BTA41 600B es un TRIAC de 3 pines con aislamiento estándar para conmutación de CA de uso general y se

Transistor Mosfet IRFP264N, 250V 44A, TO-247

Q30.00

El transistor IRFP264N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para

Transistor Mosfet IRFP254N, 250V 23A, TO-247

Q30.00

IRFP254N es una nueva generación de la familia de MOSFET de alto voltaje que utiliza un mecanismo de equilibrio de

Transistor Mosfet IRFP240, 200V 20A

Q30.00

Especificaciones: Tipo de paquete:  TO-247 Tipo de transistor:  Canal N Voltaje máximo aplicado desde el drenaje hasta la fuente:  200 V El voltaje

Transistor Mosfet IRFP360, 400V 23A, TO-247

Q25.00

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar

Transistor NPN Toshiba C5198, 140V 10A

Q22.00

Es un dispositivo de transistor de unión bipolar NPN El voltaje del colector al emisor es de 140V El voltaje

Triac 600V 10A, Q2008LT

Q20.00

Los dispositivos Quadrac de Teccor son triacs que incluyen un disparador diac montado dentro del mismo paquete. Este dispositivo, desarrollado

Transistor Potencia 2N3055 NPN 60V, 15A, TO-3

Q20.00

2N3055 Transistor BJT NPN 70V – 15A TO-3, semiconductor bipolar de juntura NPN. Este transistor es de alta potencia, capaz

Transistor de Potencia Bipolar PNP, TIP36C 25A 100V, TO-247

Q18.00

Número de parte: TIP36C Amperios: 25a Voltaje: 100V Paquete: TO-3PB Tipo de terminal / terminal: radial Número de terminales /

Triac BTA08 600C 8A 600V TO-220

Q16.00

4A corriente de puerta máxima Epoxy con clasificación de llama UL94V-0 Aplicaciones: Industrial, HVAC, Control de Motor, Iluminación Especificaciones Tensión

Transistor MOSFET de Potencia de Canal N 150V 60A, IRFB52N15D

Q15.00

El IRFB52N15D es un transistor MOSFET de potencia de canal N de alto rendimiento, diseñado para conmutación rápida y eficiente,

Transistor de Potencia de Canal N, 60V 50A, 50N06

Q15.00

Disipación total del dispositivo (Pd): 130 W Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V Corriente continua de

Transistor Mosfet, 600V 3A, MTP3N60

Q15.00

Especificaciones: Paquete        A-220-3 Polaridad del transistor      norte Voltaje máximo de la fuente de drenaje 600 voltios Corriente máxima de drenaje

Transistor Mosfet IRF3205, 55V 110A, TO-220

Q15.00

El IRF3205 es un transistor mosfet de potencia, de canal N, muy baja resistencia por unidad de superficie y con

Transistor Mosfet IRF9540N, 100V 23A, TO-220

Q15.00

Transistor mosfet IRF9540 Tipo T es un mosfet de -100V  de canal P de potencia que  proporciona al diseñador con

Transistor Mosfet IRF740, 400V 10A, TO-220

Q15.00

El IRF740 es un MOSFET de potencia de canal N de 400 V, el MOSFET de potencia son la tercera

Transistor Mosfet IRF640N, 200V 18A, TO-220

Q15.00

El transistor IRF640N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para

Transistor NPN de Silicio C2073, 150V 1.5A, TO-220

Q15.00

El transistor C2073 está diseñado para uso en aplicaciones de salida vertical, amplificador de potencia de uso general. Voltaje del

Transistor de Potencia PNP 2SB688, 120V 8A

Q15.00

El transistor 2SB688 podría tener una ganancia de corriente entre 55 y 160. Especificaciones: Tipo – PNP Voltaje del colector-emisor:

Transistor de Potencia NPN 120V 8A, 2SD718 TO-3P

Q15.00

El transistor 2SD718 es un amplificador de potencia de audio, convertidor de DC a DC y aplicaciones de conmutación. Características:

Transistor Metálico 2N2222A, NPN 40V 800mA, TO-18

Q15.00

El 2N2222A es un transistor NPN de conmutación, es uno de los transistores más populares, permite corrientes de hasta 800mA

Transistor Mosfet IRF1010E, 60V 84A, TO-220

Q15.00

IRF1010E MOSFET Canal N 60V – 84A TO-220, está diseñado para soportar un nivel específico de energía en el modo

Transistor Mosfet IRF630N, 200V 9A, TO-220

Q12.00

IRF630 es un MOSFET de potencia de tercera generación especialmente diseñado para aplicaciones que requieren conmutación de alta velocidad. Este

Transistor TIP127 PNP, 100V 5A, TO-220

Q12.00

El TIP127 es un transistor con   darlington  diseñado para su uso en amplificadores de propósito general y aplicaciones de conmutación