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Transistor Mosfet IRFP260M, 200V 50A, TO-247AC
IRFP260 es un transistor de efecto de campo de potencia o MOSFET. Está disponible en el paquete TO-247AC que también
Triac BTA41-800B 600V 40A
BTA41 600B es un TRIAC de 3 pines con aislamiento estándar para conmutación de CA de uso general y se
Transistor TOSHIBA PNP 2SA1943 Bipolar, 230V 15A 150W, TO-3PL
Tipo de transistor PNP Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente de colector 15A Poder disipado 150W Carcasa TO3PL Montaje THT
Transistor TOSHIBA NPN 2SC5200 Bipolar, 230V 15A 150W, TO-3PL
Tipo de transistor NPN Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente de colector 15A Pérdidas de potencia 150W Carcasa TO3PL Montaje
Transistor Mosfet IRFP460, 500V 20A, TO-247
El transistor IRFP460 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
Transistor Mosfet IRFP264N, 250V 44A, TO-247
El transistor IRFP264N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
Transistor Mosfet IRFP250N, 200V 33A, TO-247
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar
Transistor Mosfet IRFP254N, 250V 23A, TO-247
IRFP254N es una nueva generación de la familia de MOSFET de alto voltaje que utiliza un mecanismo de equilibrio de
Transistor Mosfet IRFP240, 200V 20A
Especificaciones: Tipo de paquete: TO-247 Tipo de transistor: Canal N Voltaje máximo aplicado desde el drenaje hasta la fuente: 200 V El voltaje
Transistor Mosfet, Canal N, 100V 180A, HY-3810, TO-220
Máxima disipación de potencia (Pd): 580 W Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 100 V Voltaje máximo fuente – puerta
Transistor Mosfet IRFP150N, 100V 42A, TO-247
El transistor IRFP150N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
Transistor Mosfet IRFP360, 400V 23A, TO-247
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar
Triac 600V 10A, Q2008LT
Los dispositivos Quadrac de Teccor son triacs que incluyen un disparador diac montado dentro del mismo paquete. Este dispositivo, desarrollado
Transistor NPN Toshiba C5198, 140V 10A
Es un dispositivo de transistor de unión bipolar NPN El voltaje del colector al emisor es de 140V El voltaje
Transistor Potencia 2N3055 NPN 60V, 15A, TO-3
2N3055 Transistor BJT NPN 70V – 15A TO-3, semiconductor bipolar de juntura NPN. Este transistor es de alta potencia, capaz
Transistor De Silicio 2SC4468 NPN
Es un transistor de potencia con un encapsulado TO3P n-p-n compuesto por silicio, en su composición posee una placa de
Transistor de Potencia Bipolar PNP, TIP36C 25A 100V, TO-247
Número de parte: TIP36C Amperios: 25a Voltaje: 100V Paquete: TO-3PB Tipo de terminal / terminal: radial Número de terminales /
Triac BTA08 600C 8A 600V TO-220
4A corriente de puerta máxima Epoxy con clasificación de llama UL94V-0 Aplicaciones: Industrial, HVAC, Control de Motor, Iluminación Especificaciones Tensión
Transistor Mosfet, 600V 3A, MTP3N60
Especificaciones: Paquete A-220-3 Polaridad del transistor norte Voltaje máximo de la fuente de drenaje 600 voltios Corriente máxima de drenaje
Transistor Mosfet IRF3205, 55V 110A, TO-220
El IRF3205 es un transistor mosfet de potencia, de canal N, muy baja resistencia por unidad de superficie y con
Transistor Mosfet IRF740, 400V 10A, TO-220
El IRF740 es un MOSFET de potencia de canal N de 400 V, el MOSFET de potencia son la tercera
Transistor de Potencia PNP 2SB688, 120V 8A
El transistor 2SB688 podría tener una ganancia de corriente entre 55 y 160. Especificaciones: Tipo – PNP Voltaje del colector-emisor:
Transistor de Potencia NPN 120V 8A, 2SD718 TO-3P
El transistor 2SD718 es un amplificador de potencia de audio, convertidor de DC a DC y aplicaciones de conmutación. Características:
Transistor Metálico 2N2222A, NPN 40V 800mA, TO-18
El 2N2222A es un transistor NPN de conmutación, es uno de los transistores más populares, permite corrientes de hasta 800mA
Transistor Mosfet IRF630N, 200V 9A, TO-220
IRF630 es un MOSFET de potencia de tercera generación especialmente diseñado para aplicaciones que requieren conmutación de alta velocidad. Este
Transistor Mosfet 4N60A Canal N, 600V 2.6A, TO-220F
Características: Mosfet de canal N Carga de compuerta baja (típica 15 nC) Low C rss (típico 8.0 pF) Conmutación rápida
Transistor TIP127 PNP, 100V 5A, TO-220
El TIP127 es un transistor con darlington diseñado para su uso en amplificadores de propósito general y aplicaciones de conmutación
Transistor NPN C4460, 500V 15A, TO-3PML
Especificaciones:
Triac TIC246D 16A 400V TO-220
TIC 246D TRANSISTOR TRIAC 400V 16A 50mA
Transistor 2N2904 PNP 60V 0.6A TO-39
2N2904 Transistor BJT PNP -40V / -600mA TO-39, semiconductor bipolar de juntura PNP. Su estructura es en plástico con tres
Transistor Mosfet IRFZ44N, 55V 49A, TO-220
El IRFZ44N es un transistor mosfet de potencia, de canal N, hexfet con muy baja resistencia por unidad de superficie
Mosfet NC-POWER IRF540 Canal N, 100V 33A
Material: metal-óxido-semiconductor Polaridad: canal N Encapsulado: TO 220 Conmutador de Potencia Corriente de drenador Ic: 33 Ampere Voltaje máximo drenador
Transistor de Potencia Bipolar NPN, TIP35C 100V 25A, TO-247
TIP35C Transistor BJT NPN 100V – 25A TO-247, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN. Este transistor es capaz
Transistor Potencia MJ2955 PNP 100V, 15A, TO-3
El MJ2955 es un transistor de potencia de silicio, complementario, PNP de -60V para usarse en aplicaciones de propósito general
Transistor Mosfet IRF1010E, 60V 84A, TO-220
IRF1010E MOSFET Canal N 60V – 84A TO-220, está diseñado para soportar un nivel específico de energía en el modo
Transistor MOSFET Canal N P12NA60FI, TO-247F
Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V Corriente continua de
MOSFET Canal N Modelo IRF511 5.6A 80V
El IRF511 es un Transistor de efecto de campo de potencia Silicon Gate TMOS de modo de mejora de canal
Transistor Mosfet IRF9Z24N, 55V 12A, TO-220
De manera especifica, el transistor IRF9Z24N es un MOSFET de potencia ó como el nombre comercial HEXFET. Este transistor tiene una
Transistor Mosfet IRF840, 500V 8A, TO-220
El transistor IRF840 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
Transistor Mosfet IRF640N, 200V 18A, TO-220
El transistor IRF640N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
Transistor Mosfet IRF530N, 100V 14A, TO-220
IRF530 es un dispositivo MOSFET de canal N. El voltaje de drenaje a fuente ( V DS ) es de
Transistor Silicon 2SC1678 NPN 65V 3A 3W TO-220
El 2SC1678 es un transistor NPN de silicio planar epitaxial. Uso recomendado para la aplicación de etapa de salida del
Triac BTA16 600V 16A TO-220
BTA16 600B es un Triac estándar utilizado para aplicaciones de propósito general de corriente alterna de onda completa y de
Transistor TIP120 NPN, 60V 5A, TO-220
El TIP120 es un transistor con polaridad NPN con darlington con encapsulado TO-220. Diseñado para aplicaciones de amplificación de uso
Amplificador Operacional Cuádruple TL074CN
El TL074CN es un Amplificador Operacional cuádruple de propósito general con entrada JFET y de bajo ruido diseñado para ofrecer
Triac 800V 8A, TIC225N
TIC 225A 800V
Transistor Bipolar NPN 2SC4793, 230V, 20W, 1A, 100Mhz
Características: Tipo – NPN Voltaje colector-emisor: 230 V Voltaje de la base del colector: 230 V Voltaje de la base
Transistor PNP A1837 Bipolar
El A1837 es un Transistor de uso general de alta Tipo de transistor PNP Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente
Transistor NPN D882 40V 3A TO-126
El D882 es un transistor NPN. Puede manejar una corriente de colector de hasta 3A y soporta una tensión máxima
Triac BT138 600V 12A TO-220
TRIAC de 600V y 12A, puede ser utilizado en aplicaciones típicas como control de motores, iluminación doméstica e industrial, entre
Transistor TIP126 PNP, 80V 5A, TO-220
Transistor TIP126 Tipo T para aplicaciones de switcheo y conmutación lineal de potencia media. Complementario a TIP120 /121/122/127 Aplicaciones: Industrial
Transistor PNP de Potencia 2SB511J 35V 1.5A 10W TO-220
Modelo: 2SB511 Polaridad: PNP Frecuencia máxima de funcionamiento: 8 MHz Tensión del colector-emisor máx .: -35 V Tensión de la
Triac BT137 600V 8A TO-220
El BT137 es una puerta sensitiva pasivada planar triac de cuatro cuadrantes destinado al uso en aplicaciones de conmutación bidireccional
Transistor PNP TIP117 100V 2A TO-220
El transistor de potencia bipolar Darlington está diseńado para aplicaciones de amplificador de uso general y conmutación de baja velocidad.
Transistor TIP102 100V 15A TO-220
Transistor Darlington NPN de propósito general Dispositivo diseńado para operar como amplificador de propósito general y conmutación de baja velocidad
Transistor NPN de Silicio C2073, 150V 1.5A, TO-220
El transistor C2073 está diseñado para uso en aplicaciones de salida vertical, amplificador de potencia de uso general. Voltaje del
Triac BT136 600V 4A TO-220
El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a
Transistor TIP122 NPN, 100V 5A, TO-220
El transistor de potencia bipolar Darlington está diseńado para aplicaciones de amplificador de uso general y conmutación de baja velocidad.
Transistor TIP105 60V 8A, TO-220
TIP105 Transistor Darlington BJT PNP -60V / -8A TO-220, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP. Este transistor es
Transistor C3179 NPN 60V 4A 30W TO-220
Tipo – npn Voltaje colector-emisor: 60 V Voltaje base colector: 60 V Voltaje de la base del emisor: 6 V