Transistor de Potencia de Canal N, 60V 50A, 50N06
Q15.00
En Existencia
Disipación total del dispositivo (Pd): 130 W Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V Corriente continua de drenaje (Id): 50 A Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
Características:
- Disipación total del dispositivo (Pd): 130 W
- Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V
- Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
- Corriente continua de drenaje (Id): 50 A
- Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
Especificaciones:
- Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V
- Carga de compuerta (Qg): 23 nC
- Tiempo de elevación (tr): 91 nS
- Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 260 pF
- Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.015 Ohm
- Empaquetado / Estuche: TO220
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