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Transistor de Potencia Bipolar PNP, TIP36C 25A 100V, TO-247

Q18.00

Número de parte: TIP36C Amperios: 25a Voltaje: 100V Paquete: TO-3PB Tipo de terminal / terminal: radial Número de terminales /

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Transistor Potencia 2N3055 NPN 60V, 15A, TO-3

Q20.00

2N3055 Transistor BJT NPN 70V – 15A TO-3, semiconductor bipolar de juntura NPN. Este transistor es de alta potencia, capaz

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Triac 600V 10A, Q2008LT

Q20.00

Los dispositivos Quadrac de Teccor son triacs que incluyen un disparador diac montado dentro del mismo paquete. Este dispositivo, desarrollado

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Transistor NPN Toshiba C5198, 140V 10A

Q22.00

Es un dispositivo de transistor de unión bipolar NPN El voltaje del colector al emisor es de 140V El voltaje

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Transistor Mosfet IRFP360, 400V 23A, TO-247

Q25.00

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar

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Transistor Mosfet IRFP240, 200V 20A

Q30.00

Especificaciones: Tipo de paquete:  TO-247 Tipo de transistor:  Canal N Voltaje máximo aplicado desde el drenaje hasta la fuente:  200 V El voltaje

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Transistor Mosfet IRFP254N, 250V 23A, TO-247

Q30.00

IRFP254N es una nueva generación de la familia de MOSFET de alto voltaje que utiliza un mecanismo de equilibrio de

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Transistor Mosfet IRFP264N, 250V 44A, TO-247

Q30.00

El transistor IRFP264N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para

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Triac BTA41-800B 600V 40A

Q40.00

BTA41 600B es un TRIAC de 3 pines con aislamiento estándar para conmutación de CA de uso general y se

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Transistor Bipolar de Buerta Aislada (IGBT), IRG4PC50W

Q40.00

El IRG4PC50W es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de alta potencia y alta velocidad, diseñado por International Rectifier

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Transistor Bipolar de Buerta Aislada (IGBT), G4PC50U

Q40.00

El G4PC50U (IRG4PC50U) es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de alta potencia y 600V, diseñado por International Rectifier

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Transistor TOSHIBA NPN 2SC5200 Bipolar, 230V 15A 150W, TO-3PL

Q45.00

Tipo de transistor NPN Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente de colector 15A Pérdidas de potencia 150W Carcasa TO3PL Montaje

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Transistor TOSHIBA PNP 2SA1943 Bipolar, 230V 15A 150W, TO-3PL

Q45.00

Tipo de transistor PNP Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente de colector 15A Poder disipado 150W Carcasa TO3PL Montaje THT

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Transistor Mosfet IRFP150N, 100V 42A, TO-247

Q45.00

El transistor IRFP150N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para

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Transistor Mosfet IRFP460, 500V 20A, TO-247

Q45.00

El transistor IRFP460 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para

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Transistor Mosfet IRFP260M, 200V 50A, TO-247AC

Q75.00

IRFP260 es un transistor de efecto de campo de potencia o MOSFET. Está disponible en el paquete TO-247AC que también

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