Transistor NPN de media potencia
IC max: 3 A
IC pico max: 5 A
IB max: 1 A
PTOT: 40 W
VCEO: 100 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V
hFE: 10 a 50 (@ IC=3 A, VCE=4 V)
Alta velocidad de suicheo
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