Transistor Mosfet IRF840, 500V 8A, TO-220

El transistor IRF840 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRF840 es un MOSFET de potencia de N-canal de 500V, el MOSFET de potencia de tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia.

• Valor dinámico dV / dt.
• Avalancha repetitiva.
• 175 ° C Temperatura de funcionamiento.
• Fácil de paralelo.
• Requisito de unidad simple.

Aplicaciones:

• Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo

Características:

• Polaridad del transistor: Canal N
• Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V
• Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
• Corriente continua de drenaje ID: 8 A
• Corriente de drenaje pulsada IDP: 32 A
• Corriente de avalancha IAR: 8 A
• Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 125 W
• Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.85 Ω
• Temperatura de operación mínima: -55 °C
• Temperatura de operación máxima: 150 °C
• Encapsulado: TO-220
• Número: 3