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Transistor Bipolar MPSA92 PNP, TO-92

Q2.00

El MPSA92 se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando

Transistor TIP120 NPN, 60V 5A, TO-220

Q9.00

El TIP120 es un transistor con polaridad NPN con darlington con encapsulado TO-220. Diseñado para aplicaciones de amplificación de uso

Transistor BC337 NPN 25V 0.8A TO-92

Q2.00

Es un transistor bipolar, compuesto por Silicio. Utilizado en amplificadores de audio, equipos de medicina y equipos informáticos.

Transistor BC546 NPN 80V 0.1A TO-92

Q2.00

Transistor BC546 es un transistor de silicio de baja potencia de propósitos generales utilizado en gran variedad de equipos electrónicos.

Amplificador Operacional Cuádruple TL074CN

Q9.00

El TL074CN es un Amplificador Operacional cuádruple de propósito general con entrada JFET y de bajo ruido diseñado para ofrecer

Transistor Mosfet IRF9540N, 100V 23A, TO-220

Q15.00

Transistor mosfet IRF9540 Tipo T es un mosfet de -100V  de canal P de potencia que  proporciona al diseñador con

Transistor PNP A1837 Bipolar

Q8.00

El A1837 es un Transistor de uso general de alta Tipo de transistor PNP Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente

Transistor BD140 PNP 80V 1.5A TO-126

Q2.00

El BD140G es un transistor de silicio de 80V PNP de potencia media bipolar diseñado para su uso como amplificadores

Transistor C1815 BJT NPN 50V 0.15A TO-92

Q1.50

Transistor C1815 Es un transistor de unión bipolar de mediana potencia, destinado para propósito general en amplificación y conmutación, construido

Transistor de Potencia Bipolar PNP, TIP36C 25A 100V, TO-247

Q18.00

Número de parte: TIP36C Amperios: 25a Voltaje: 100V Paquete: TO-3PB Tipo de terminal / terminal: radial Número de terminales /

Tiristor SCR 2N5064 0.8A 200V TO-92

Q5.00

Tiristor SCR 0.8A 200V TO92 Voltaje – Off State 200V Corriente – On State (It (RMS)) (Max) 800mA Temperatura -40°C

Transistor Mosfet IRF840, 500V 8A, TO-220

Q10.00

El transistor IRF840 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para

Transistor Bipolar NPN C2240, 120V 100mA, 300mW, 100MHz, TO-92

Q2.00

El 2SC2240 es un transistor para baja frecuencia y bajo ruido. Aplicaciones: Este dispositivo está diseñado para reducir la figura

Transistor MOSFET Canal N P12NA60FI, TO-247F

Q12.00

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V Corriente continua de

Transistor TIP127 PNP, 100V 5A, TO-220

Q12.00

El TIP127 es un transistor con   darlington  diseñado para su uso en amplificadores de propósito general y aplicaciones de conmutación

Transistor Bipolar BD137 NPN 60V, 0.5A TO-126

Q3.50

El Transistor Bipolar BD137 (BJT) NPN es un transistor elaborado de Silicio, es una placa de material semiconductor con tres

Transistor de Potencia NPN 120V 8A, 2SD718 TO-3P

Q15.00

El transistor 2SD718 es un amplificador de potencia de audio, convertidor de DC a DC y aplicaciones de conmutación. Características:

Transistor Bipolar BD138 PNP 60V 1A TO-126

Q2.00

Consiste en una plaquita de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente tipo de conductibilidad eléctrica los cuales forman dos

Transistor S8050 NPN, 0.5A 40V 625W TO-92

Q2.00

Transistor Bipolar (BJT) NPN Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio IC: 500 mA PD: 625 mW VCEO: 25

Transistor C945 BJT NPN, 50V 150mA TO-92

Q2.00

Un transistor C945 es un tipo de transistor de unión bipolar NPN. Los circuitos donde se requiere un transistor de

Transistor Mosfet IRF630N, 200V 9A, TO-220

Q12.00

IRF630 es un MOSFET de potencia de tercera generación especialmente diseñado para aplicaciones que requieren conmutación de alta velocidad. Este

Transistor Bipolar BD136 PNP 45V 1A TO-126

Q2.00

Tipo de Transistor: PNP Serie: BD136 Encapsulado: TO-126 Estilo de montaje: Through Hole Pines: 3 Altura: 10.8 mm Longitud: 7.8

Triac BTA08 600C 8A 600V TO-220

Q16.00

4A corriente de puerta máxima Epoxy con clasificación de llama UL94V-0 Aplicaciones: Industrial, HVAC, Control de Motor, Iluminación Especificaciones Tensión

Transistor Darlington MPSA13 NPN, 30V 500mA, 625mW, 125MHz, TO-92

Q2.00

Transistor Darlington NPN de propósito general. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 10

Transistor Bipolar de Potencia PNP TIP32C 3A 100V

Q6.00

Una amplia gama de transistores bipolares NPN y PNP de STMicroelectronics que incluye dispositivos para aplicaciones generales, Darlington, y de

Transistor de Potencia PNP 2SB688, 120V 8A

Q15.00

El transistor 2SB688 podría tener una ganancia de corriente entre 55 y 160. Especificaciones: Tipo – PNP Voltaje del colector-emisor:

Transistor de Potencia de Canal N, 60V 50A, 50N06

Q15.00

Disipación total del dispositivo (Pd): 130 W Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V Corriente continua de

Transistor Bipolar (BJT) S9013 NPN, 25V 500mA TO-92

Q2.00

Transistor Bipolar (BJT) NPN Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio hFE con buena linealidad IC: 500 mA PD: 625 mW

Transistor 2SA1013, PNP, 160V, 1A, TO-92L

Q3.00

Transistor 2SA1013 pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de televisión de color y para la salida de deflexión

Transistor Bipolar (BJT) S9012 PNP, 25V 500mA TO-92

Q2.00

Transistor Bipolar (BJT) PNP Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio hFE con buena linealidad IC: 500 mA PD: 625 mW

Transistor NPN D882 40V 3A TO-126

Q8.00

El D882 es un transistor NPN. Puede manejar una corriente de colector de hasta 3A y soporta una tensión máxima