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Transistor Mosfet IRFP460, 500V 20A, TO-247

Q45.00

El transistor IRFP460 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para

Transistor C3179, NPN, 60V 4A, 30W TO-220

Q6.00

Tipo: NPN Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V Tensión Máxima Colector-Base: 60 V Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V Corriente DC Máxima

Triac BTA41-800B 600V 40A

Q40.00

BTA41 600B es un TRIAC de 3 pines con aislamiento estándar para conmutación de CA de uso general y se

Transistor Potencia MJ2955 PNP 100V, 15A, TO-3

Q12.00

El MJ2955 es un transistor de potencia de silicio, complementario, PNP de -60V para usarse en aplicaciones de propósito general

Transistor Bipolar BJT S9014, NPN, 50V 0.1A, TO-92

Q2.00

Transistor S9014 pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de pre-amplificador de bajo nivel y bajo ruido. Alta disipación

Transistor A1020 PNP, 50V, 2A, 100MHz, TO-92

Q2.00

Tipo: PNP Tensión Colector-Emisor: -50 V Voltaje de la base del colector: -50 V Voltaje Emisor-Base: -5 V Corriente de colector: -2 A Disipación del colector: 0,9 W Ganancia de corriente

Transistor 2N2905 PNP 60V 0.6A TO-39

Q12.00

2N2904 Transistor BJT PNP -40V / -600mA TO-39, semiconductor bipolar de juntura PNP. Su estructura es en plástico con tres

Transistor C2330 NPN, 300V 100mA, 900mW, 50 MHz, TO-92

Q3.00

Características: Voltaje de la base del colector: VCBO = 400V Producto de ancho de banda de ganancia actual: fT =

Transistor Bipolar C2235, NPN 120V 0.8A, 0.9W, 120MHz, TO-92MOD

Q3.00

Tipo: NPN Tensión Máxima Colector-Emisor: 120 V Tensión Máxima Colector-Base: 120 V Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V Corriente DC Máxima

Transistor S8550 PNP, 0.5A 40V 625mW TO-92

Q2.00

Transistor Bipolar (BJT) PNP Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio IC: 500 mA PD: 625 mW VCEO: 25

Transistor 2N4401 NPN, 40V, 600mA, 700mW, 250MHz,TO-92

Q2.00

Transistor 2N4401 de pequeña señal, NPN 40 V, 0.6 A, 5 MHz de baja potencia usado para propósito general en

Triac BT138 600V 12A TO-220

Q8.00

TRIAC de 600V y 12A, puede ser utilizado en aplicaciones típicas como control de motores, iluminación doméstica e industrial, entre

Transistor Mosfet IRF740, 400V 10A, TO-220

Q15.00

El IRF740 es un MOSFET de potencia de canal N de 400 V, el MOSFET de potencia son la tercera

Transistor TIP126 PNP, 80V 5A, TO-220

Q7.00

Transistor TIP126 Tipo T para aplicaciones de switcheo y conmutación lineal de potencia media. Complementario a TIP120 /121/122/127 Aplicaciones: Industrial

Transistor Silicon 2SC1678 NPN 65V 3A 3W TO-220

Q10.00

El 2SC1678 es un transistor NPN de silicio planar epitaxial. Uso recomendado para la aplicación de etapa de salida del

Transistor NPN Toshiba C5198, 140V 10A

Q22.00

Es un dispositivo de transistor de unión bipolar NPN El voltaje del colector al emisor es de 140V El voltaje

Transistor 2SC2655, NPN, 50V, 2A, TO-92L

Q2.00

Transistor 2SC2655 de pequeña señal diseñado para su uso como amplificador e interruptor de potencia. Complemento 2SA1020 Aplicaciones: Industrial Especificaciones:

Transistor BC549 NPN, 30V 0.1A TO-92

Q2.00

Categoría de producto: Transistores de empalme bipolar (BJT) Estilo de montaje: Through Hole Paquete / Cubierta: TO-92 Polaridad del transistor: NPN Máx. voltaje

Transistor Metálico 2N2222A, NPN 40V 800mA, TO-18

Q15.00

El 2N2222A es un transistor NPN de conmutación, es uno de los transistores más populares, permite corrientes de hasta 800mA

Transistor Mosfet IRFP260M, 200V 50A, TO-247AC

Q75.00

IRFP260 es un transistor de efecto de campo de potencia o MOSFET. Está disponible en el paquete TO-247AC que también

Transistor Mosfet IRFP264N, 250V 44A, TO-247

Q30.00

El transistor IRFP264N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para

Transistor Bipolar (BJT) S9015 PNP, 45V 100mA TO-92

Q2.00

Transistor Bipolar (BJT) PNP IC: 100 mA PD: 450 mW VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V hFE:

Transistor TIP102 100V 15A TO-220

Q7.00

Transistor Darlington NPN de propósito general Dispositivo diseńado para operar como amplificador de propósito general y conmutación de baja velocidad

Transistor Bipolar de Buerta Aislada (IGBT), IRG4PC50W

Q40.00

El IRG4PC50W es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de alta potencia y alta velocidad, diseñado por International Rectifier

Transistor MOSFET de Potencia de Canal N 150V 60A, IRFB52N15D

Q15.00

El IRFB52N15D es un transistor MOSFET de potencia de canal N de alto rendimiento, diseñado para conmutación rápida y eficiente,

Transistor MJE13002 NPN, 700V 200mA, TO-92

Q4.00

Transistor 13002 Tipo: Transistor triodo Data: 700V 0.2A High Voltage/Speed

Transistor 2SA992 PNP, 120V 50mA, 500mW, 100MHz, TO-92

Q3.00

Voltaje colector-emisor (Vceo): 120V Voltaje de la base del colector (Vcbo): 120 V Corriente del colector (Ic): 0.05A hfe: 200-800

Transistor Mosfet IRFP150N, 100V 42A, TO-247

Q45.00

El transistor IRFP150N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para

Transistor TIP105 60V 8A, TO-220

Q6.00

TIP105 Transistor Darlington BJT PNP -60V / -8A TO-220, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP. Este transistor es

Transistor 2SC1384, NPN, 60V, 1A, TO-92L

Q2.00

Transistor 2SC1384 pequeña señal para amplificación de potencia de baja frecuencia y amplificación de controlador. Bajo voltaje de saturación del