Descripción
  • Transistor Bipolar (BJT) PNP
  • Imax: 100 mA
  • FT : 150 MHz
  • PTOT: 500 mW
  • VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 5 V
  • hFE min: 110  (@ IC= 2 mA, VCE= 5 V
  • Encapsulado: TO-92
Información de Envío
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