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Transistor TIP30C PNP -100V 3A 30W TO-220

Q6.00

Transistor TIP30C de silicio PNP epitaxial ofrece voltaje colector-base de -100V y corriente de colector de -1A. Está diseńado para

Triac 600V 10A, Q2008LT

Q20.00

Los dispositivos Quadrac de Teccor son triacs que incluyen un disparador diac montado dentro del mismo paquete. Este dispositivo, desarrollado

Transistor PNP de Potencia 2SB511J 35V 1.5A 10W TO-220

Q7.00

Modelo: 2SB511 Polaridad: PNP Frecuencia máxima de funcionamiento: 8 MHz Tensión del colector-emisor máx .: -35 V Tensión de la

Transistor PNP TIP117 100V 2A TO-220

Q7.00

El transistor de potencia bipolar Darlington está diseńado para aplicaciones de amplificador de uso general y conmutación de baja velocidad.

Transistor Mosfet IRFP240, 200V 20A

Q30.00

Especificaciones: Tipo de paquete:  TO-247 Tipo de transistor:  Canal N Voltaje máximo aplicado desde el drenaje hasta la fuente:  200 V El voltaje

Transistor BC550 NPN, 45V 0.1A TO-92

Q2.00

Tipo de Transistor NPN Corriente DC Máxima del Colector 100 mA Tensión Máxima Colector-Emisor 45 V Tipo de Encapsulado TO-92

MOSFET Canal N Modelo IRF511 5.6A 80V

Q12.00

El IRF511 es un Transistor de efecto de campo de potencia Silicon Gate TMOS de modo de mejora de canal

Transistor Bipolar de Buerta Aislada (IGBT), G4PC50U

Q40.00

El G4PC50U (IRG4PC50U) es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de alta potencia y 600V, diseñado por International Rectifier

Transistor Mosfet, 600V 3A, MTP3N60

Q15.00

Especificaciones: Paquete        A-220-3 Polaridad del transistor      norte Voltaje máximo de la fuente de drenaje 600 voltios Corriente máxima de drenaje

Transistor Mosfet IRFP254N, 250V 23A, TO-247

Q30.00

IRFP254N es una nueva generación de la familia de MOSFET de alto voltaje que utiliza un mecanismo de equilibrio de

Transistor Mosfet IRFP360, 400V 23A, TO-247

Q25.00

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar

Transistor Bipolar BD238, PNP, 100V 2A 25W, TO-126

Q5.00

Transistor bipolar compuesto por silicio con un amplio uso en diversos circuitos y aparatos electrónicos. Características: Material: Silicio Polaridad: P-N-P

Transistor 2SA928, PNP, 30V, 2A, TO-92

Q2.00

Transistor 2SA928 pequeña señal diseñado como amplificador de audio de poder. Complemento de 2SC2328A Características: Polaridad del transistor: PNP Voltaje

Transistor 2SC828 NPN, 30V, 100mA, TO-92

Q2.00

Transistor 2SC828 de  pequeña señal, diseñado especialmente como  pre-amplificdor  de bajo ruido y para aplicaciones de amplificador industrial de pequeña

Transistor A733 PNP 50V 100mA TO-92

Q1.50

Transistor PNP, A733 Encapsulado TO-92 de 3 pines Voltaje de Colector a Base (CB) es -60V Voltaje de Colector a

Transistor BD235 NPN 60V 2A TO-126

Q5.00

Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W Tensión colector-base (Vcb): 60 V Tensión colector-emisor (Vce): 60 V Tensión emisor-base (Veb):