Transistor Darlington MPSA13 NPN, 30V 500mA, 625mW, 125MHz, TO-92
Q2.00
En Existencia
Transistor Darlington NPN de propósito general. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 10 V, fT: 125 MHz, encapsulado TO-92.
Características:
- Transistor Darlington NPN
- Dispositivo diseñado para aplicaciones que requieren ganancia de corriente muy alta
- IC: 500 mA max.
- PD: 625 mW max.
- VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 10 V, max.
- hFE min: 5000 (@ IC=10 mA, VCE=5 V)
- fT: 125 MHz mínimo
- Encapsulado: TO-92
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