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Transistor Bipolar de Buerta Aislada (IGBT), G4PC50U

Q40.00

El G4PC50U (IRG4PC50U) es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de alta potencia y 600V, diseñado por International Rectifier

Transistor Bipolar de Buerta Aislada (IGBT), IRG4PC50W

Q40.00

El IRG4PC50W es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de alta potencia y alta velocidad, diseñado por International Rectifier

Transistor MOSFET de Potencia de Canal N 150V 60A, IRFB52N15D

Q15.00

El IRFB52N15D es un transistor MOSFET de potencia de canal N de alto rendimiento, diseñado para conmutación rápida y eficiente,

Transistor de Potencia de Canal N, 60V 50A, 50N06

Q15.00

Disipación total del dispositivo (Pd): 130 W Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V Corriente continua de

Transistor NPN de Silicio C2073, 150V 1.5A, TO-220

Q15.00

El transistor C2073 está diseñado para uso en aplicaciones de salida vertical, amplificador de potencia de uso general. Voltaje del

Amplificador Operacional Cuádruple TL074CN

Q9.00

El TL074CN es un Amplificador Operacional cuádruple de propósito general con entrada JFET y de bajo ruido diseñado para ofrecer

Transistor TIP127 PNP, 100V 5A, TO-220

Q12.00

El TIP127 es un transistor con   darlington  diseñado para su uso en amplificadores de propósito general y aplicaciones de conmutación

Transistor Darlington MPSA13 NPN, 30V 500mA, 625mW, 125MHz, TO-92

Q2.00

Transistor Darlington NPN de propósito general. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 10

Transistor Bipolar NPN 2SC4793, 230V, 20W, 1A, 100Mhz

Q8.00

Características: Tipo – NPN Voltaje colector-emisor: 230 V Voltaje de la base del colector: 230 V Voltaje de la base

Transistor PNP A1837 Bipolar

Q8.00

El A1837 es un Transistor de uso general de alta Tipo de transistor PNP Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente

Transistor Mosfet IRF840, 500V 8A, TO-220

Q10.00

El transistor IRF840 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para

Transistor NPN Toshiba C5198, 140V 10A

Q22.00

Es un dispositivo de transistor de unión bipolar NPN El voltaje del colector al emisor es de 140V El voltaje

Transistor Bipolar C2235, NPN 120V 0.8A, 0.9W, 120MHz, TO-92MOD

Q3.00

Tipo: NPN Tensión Máxima Colector-Emisor: 120 V Tensión Máxima Colector-Base: 120 V Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V Corriente DC Máxima

Transistor TIP120 NPN, 60V 5A, TO-220

Q9.00

El TIP120 es un transistor con polaridad NPN con darlington con encapsulado TO-220. Diseñado para aplicaciones de amplificación de uso

Transistor Mosfet IRFP240, 200V 20A

Q30.00

Especificaciones: Tipo de paquete:  TO-247 Tipo de transistor:  Canal N Voltaje máximo aplicado desde el drenaje hasta la fuente:  200 V El voltaje

Transistor de Potencia PNP 2SB688, 120V 8A

Q15.00

El transistor 2SB688 podría tener una ganancia de corriente entre 55 y 160. Especificaciones: Tipo – PNP Voltaje del colector-emisor:

Transistor 2SA992 PNP, 120V 50mA, 500mW, 100MHz, TO-92

Q3.00

Voltaje colector-emisor (Vceo): 120V Voltaje de la base del colector (Vcbo): 120 V Corriente del colector (Ic): 0.05A hfe: 200-800

Transistor Mosfet, 600V 3A, MTP3N60

Q15.00

Especificaciones: Paquete        A-220-3 Polaridad del transistor      norte Voltaje máximo de la fuente de drenaje 600 voltios Corriente máxima de drenaje

Transistor Bipolar MPSA92 PNP, TO-92

Q2.00

El MPSA92 se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando

Transistor Mosfet IRF530N, 100V 14A, TO-220

Q10.00

IRF530 es un dispositivo MOSFET de canal N. El voltaje de drenaje a fuente ( V DS ) es de

Transistor de Potencia NPN 120V 8A, 2SD718 TO-3P

Q15.00

El transistor 2SD718 es un amplificador de potencia de audio, convertidor de DC a DC y aplicaciones de conmutación. Características:

Transistor Bipolar BD136 PNP 45V 1A TO-126

Q2.00

Tipo de Transistor: PNP Serie: BD136 Encapsulado: TO-126 Estilo de montaje: Through Hole Pines: 3 Altura: 10.8 mm Longitud: 7.8

Transistor Bipolar BD138 PNP 60V 1A TO-126

Q2.00

Consiste en una plaquita de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente tipo de conductibilidad eléctrica los cuales forman dos

Triac BTA08 600C 8A 600V TO-220

Q16.00

4A corriente de puerta máxima Epoxy con clasificación de llama UL94V-0 Aplicaciones: Industrial, HVAC, Control de Motor, Iluminación Especificaciones Tensión

Transistor TOSHIBA PNP 2SA1943 Bipolar, 230V 15A 150W, TO-3PL

Q45.00

Tipo de transistor PNP Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente de colector 15A Poder disipado 150W Carcasa TO3PL Montaje THT

Transistor Bipolar BD135 NPN 45V, 1.5A TO-126

Q3.50

El BD135 es un transistor de bajo voltaje de polaridad  NPN, fabricado con tecnología planar epitaxial y diseñado para su

Transistor TIP126 PNP, 80V 5A, TO-220

Q7.00

Transistor TIP126 Tipo T para aplicaciones de switcheo y conmutación lineal de potencia media. Complementario a TIP120 /121/122/127 Aplicaciones: Industrial

Transistor PNP de Potencia 2SB511J 35V 1.5A 10W TO-220

Q7.00

Modelo: 2SB511 Polaridad: PNP Frecuencia máxima de funcionamiento: 8 MHz Tensión del colector-emisor máx .: -35 V Tensión de la

Triac BT137 600V 8A TO-220

Q7.00

BT137 es un TRIAC estándar de 3 pines para conmutación de CA de uso general y se puede utilizar como