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Transistor TIP102 100V 15A TO-220
Transistor Darlington NPN de propósito general Dispositivo diseńado para operar como amplificador de propósito general y conmutación de baja velocidad
Transistor Potencia MJ2955 PNP 100V, 15A, TO-3
El MJ2955 es un transistor de potencia de silicio, complementario, PNP de -60V para usarse en aplicaciones de propósito general
Transistor De Silicio 2SC4468 NPN
Es un transistor de potencia con un encapsulado TO3P n-p-n compuesto por silicio, en su composición posee una placa de
Transistor Mosfet IRF1010E, 60V 84A, TO-220
IRF1010E MOSFET Canal N 60V – 84A TO-220, está diseñado para soportar un nivel específico de energía en el modo
Transistor Potencia 2N3055 NPN 60V, 15A, TO-3
2N3055 Transistor BJT NPN 70V – 15A TO-3, semiconductor bipolar de juntura NPN. Este transistor es de alta potencia, capaz
Transistor MOSFET Canal N P12NA60FI, TO-247F
Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V Corriente continua de
Transistor BD235 NPN 60V 2A TO-126
Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W Tensión colector-base (Vcb): 60 V Tensión colector-emisor (Vce): 60 V Tensión emisor-base (Veb):
MOSFET Canal N Modelo IRF511 5.6A 80V
El IRF511 es un Transistor de efecto de campo de potencia Silicon Gate TMOS de modo de mejora de canal
Transistor de Potencia Bipolar PNP, TIP36C 25A 100V, TO-247
Número de parte: TIP36C Amperios: 25a Voltaje: 100V Paquete: TO-3PB Tipo de terminal / terminal: radial Número de terminales /
Triac BT138 600V 12A TO-220
TRIAC de 600V y 12A, puede ser utilizado en aplicaciones típicas como control de motores, iluminación doméstica e industrial, entre
Triac BTA16 600V 16A TO-220
BTA16 600B es un Triac estándar utilizado para aplicaciones de propósito general de corriente alterna de onda completa y de
Tiristor SCR 2N5064 0.8A 200V TO-92
Tiristor SCR 0.8A 200V TO92 Voltaje – Off State 200V Corriente – On State (It (RMS)) (Max) 800mA Temperatura -40°C
Triac 600V 10A, Q2008LT
Los dispositivos Quadrac de Teccor son triacs que incluyen un disparador diac montado dentro del mismo paquete. Este dispositivo, desarrollado
Transistor Mosfet IRFP460, 500V 20A, TO-247
El transistor IRFP460 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
Transistor Mosfet IRFP264N, 250V 44A, TO-247
El transistor IRFP264N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
Transistor Mosfet IRFP250N, 200V 33A, TO-247
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar
Transistor Mosfet IRFP254N, 250V 23A, TO-247
IRFP254N es una nueva generación de la familia de MOSFET de alto voltaje que utiliza un mecanismo de equilibrio de
Transistor Mosfet IRFP150N, 100V 42A, TO-247
El transistor IRFP150N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
Transistor Mosfet IRFP360, 400V 23A, TO-247
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar
Transistor Mosfet IRF3205, 55V 110A, TO-220
El IRF3205 es un transistor mosfet de potencia, de canal N, muy baja resistencia por unidad de superficie y con
Transistor Mosfet IRF630N, 200V 9A, TO-220
IRF630 es un MOSFET de potencia de tercera generación especialmente diseñado para aplicaciones que requieren conmutación de alta velocidad. Este
Transistor Mosfet IRF740, 400V 10A, TO-220
El IRF740 es un MOSFET de potencia de canal N de 400 V, el MOSFET de potencia son la tercera
Transistor Mosfet IRF640N, 200V 18A, TO-220
El transistor IRF640N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
Transistor Bipolar BD238, PNP, 100V 2A 25W, TO-126
Transistor bipolar compuesto por silicio con un amplio uso en diversos circuitos y aparatos electrónicos. Características: Material: Silicio Polaridad: P-N-P
Transistor 2N2222A NPN, 40V 0.6A TO-92
También identificado como PN2222, es un transistor bipolar NPN de baja potencia de uso general. Sirve tanto para aplicaciones de
Transistor BC549 NPN, 30V 0.1A TO-92
Categoría de producto: Transistores de empalme bipolar (BJT) Estilo de montaje: Through Hole Paquete / Cubierta: TO-92 Polaridad del transistor: NPN Máx. voltaje
Transistor BC550 NPN, 45V 0.1A TO-92
Tipo de Transistor NPN Corriente DC Máxima del Colector 100 mA Tensión Máxima Colector-Emisor 45 V Tipo de Encapsulado TO-92
Transistor BC558 PNP 50V 0.1A TO-92
Transistor Bipolar (BJT) PNP IC max: 100 mA FT : 150 MHz PTOT: 500 mW VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO:
Transistor 2N5401 PNP 160V, 0.6A TO-92
Transistor Bipolar (BJT) PNP de alto voltaje Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general IC: 600
Transistor C1815 BJT NPN 50V 0.15A TO-92
Transistor C1815 Es un transistor de unión bipolar de mediana potencia, destinado para propósito general en amplificación y conmutación, construido
Transistor BC557 PNP, 50V 0.1A TO-92
Encapsulado: TO-92 Tipo de transistor: PNP Corriente máxima del colector (IC): -100mA Voltaje máximo del colector-emisor (VCE): -45V Voltaje máximo
Transistor Bipolar NPN 2N5551, 600mA 160V, TO-92
Transistor tipo: NPN Corriente de Colector (Ic) (Max): 600mA Voltaje – Colector Emisor ruptura (Max): 160V Vce Saturación (Max) @
Transistor 2N3906 PNP, 40V 0.2A TO-92
Transistor 2N3906 de pequeńa seńal. Este transistor cuenta con conmutación rápida, por lo tanto es adecuado para la conmutación y
Transistor 2N3904 NPN, 40V 0.2A TO-92
El transistor 2N3904 es uno de los más comunes transistores NPN generalmente usado para amplificación. Está diseńado para funcionar a
Transistor BC548 NPN, 30V 0.1A TO-92
Transistor BC548 es un transistor de silicio de baja potencia de propósitos generales utilizado en gran variedad de equipos electrónicos.
Transistor C945 BJT NPN, 50V 150mA TO-92
Un transistor C945 es un tipo de transistor de unión bipolar NPN. Los circuitos donde se requiere un transistor de
Transistor BC547 NPN, 45V 0.1A TO-92
Es un transistor amplificador de audio y VHF Freq. Driver con una corriente máxima de colector de 0.6 ampere, en
Transistor Bipolar (BJT) A1015 PNP, 50V 150mA TO-92
De tipo PNP viene en encapsulado TO92, plástico y con tres pines. Está formado por dos uniones np en contraposición.
Transistor S8050 NPN, 0.5A 40V 625W TO-92
Transistor Bipolar (BJT) NPN Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio IC: 500 mA PD: 625 mW VCEO: 25
Transistor S8550 PNP, 0.5A 40V 625mW TO-92
Transistor Bipolar (BJT) PNP Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio IC: 500 mA PD: 625 mW VCEO: 25
Transistor Bipolar (BJT) S9015 PNP, 45V 100mA TO-92
Transistor Bipolar (BJT) PNP IC: 100 mA PD: 450 mW VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V hFE:
Transistor Bipolar BJT S9014, NPN, 50V 0.1A, TO-92
Transistor S9014 pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de pre-amplificador de bajo nivel y bajo ruido. Alta disipación
Transistor Bipolar (BJT) S9013 NPN, 25V 500mA TO-92
Transistor Bipolar (BJT) NPN Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio hFE con buena linealidad IC: 500 mA PD: 625 mW
Transistor Bipolar (BJT) S9012 PNP, 25V 500mA TO-92
Transistor Bipolar (BJT) PNP Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio hFE con buena linealidad IC: 500 mA PD: 625 mW
Transistor TOSHIBA NPN 2SC5200 Bipolar, 230V 15A 150W, TO-3PL
Tipo de transistor NPN Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente de colector 15A Pérdidas de potencia 150W Carcasa TO3PL Montaje
Transistor 2SC2655, NPN, 50V, 2A, TO-92L
Transistor 2SC2655 de pequeña señal diseñado para su uso como amplificador e interruptor de potencia. Complemento 2SA1020 Aplicaciones: Industrial Especificaciones:
Transistor 2SC1384, NPN, 60V, 1A, TO-92L
Transistor 2SC1384 pequeña señal para amplificación de potencia de baja frecuencia y amplificación de controlador. Bajo voltaje de saturación del
Transistor 2SA1013, PNP, 160V, 1A, TO-92L
Transistor 2SA1013 pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de televisión de color y para la salida de deflexión
Transistor 2SA928, PNP, 30V, 2A, TO-92
Transistor 2SA928 pequeña señal diseñado como amplificador de audio de poder. Complemento de 2SC2328A Características: Polaridad del transistor: PNP Voltaje
Transistor A1020 PNP, 50V, 2A, 100MHz, TO-92
Tipo: PNP Tensión Colector-Emisor: -50 V Voltaje de la base del colector: -50 V Voltaje Emisor-Base: -5 V Corriente de colector: -2 A Disipación del colector: 0,9 W Ganancia de corriente
Transistor 2N4401 NPN, 40V, 600mA, 700mW, 250MHz,TO-92
Transistor 2N4401 de pequeña señal, NPN 40 V, 0.6 A, 5 MHz de baja potencia usado para propósito general en
Transistor 2SC828 NPN, 30V, 100mA, TO-92
Transistor 2SC828 de pequeña señal, diseñado especialmente como pre-amplificdor de bajo ruido y para aplicaciones de amplificador industrial de pequeña
Transistor 2SK30A JFET Canal N, 50V, 6.5 mA, TO-92
Transistor 2SK30A pequeña señal, conmutador de canal N. Este dispositivo está diseñado para aplicaciones de conmutación digital con baja resistencia.
Transistor Bipolar NPN C2240, 120V 100mA, 300mW, 100MHz, TO-92
El 2SC2240 es un transistor para baja frecuencia y bajo ruido. Aplicaciones: Este dispositivo está diseñado para reducir la figura
Transistor MJE13002 NPN, 700V 200mA, TO-92
Transistor 13002 Tipo: Transistor triodo Data: 700V 0.2A High Voltage/Speed