Showing 97–112 of 112 resultsSorted by average rating

Transistor C2330 NPN, 300V 100mA, 900mW, 50 MHz, TO-92

Q3.00

Características: Voltaje de la base del colector: VCBO = 400V Producto de ancho de banda de ganancia actual: fT =

Transistor PNP TIP117 100V 2A TO-220

Q7.00

El transistor de potencia bipolar Darlington está diseńado para aplicaciones de amplificador de uso general y conmutación de baja velocidad.

Transistor de Potencia Bipolar NPN, TIP35C 100V 25A, TO-247

Q12.00

TIP35C Transistor BJT NPN 100V – 25A TO-247, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN. Este transistor es capaz

Transistor TIP102 100V 15A TO-220

Q7.00

Transistor Darlington NPN de propósito general Dispositivo diseńado para operar como amplificador de propósito general y conmutación de baja velocidad

Transistor S8050 NPN, 0.5A 40V 625W TO-92

Q2.00

Transistor Bipolar (BJT) NPN Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio IC: 500 mA PD: 625 mW VCEO: 25

Transistor TOSHIBA NPN 2SC5200 Bipolar, 230V 15A 150W, TO-3PL

Q45.00

Tipo de transistor NPN Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente de colector 15A Pérdidas de potencia 150W Carcasa TO3PL Montaje

Transistor Potencia MJ2955 PNP 100V, 15A, TO-3

Q12.00

El MJ2955 es un transistor de potencia de silicio, complementario, PNP de -60V para usarse en aplicaciones de propósito general

Transistor Mosfet IRF1010E, 60V 84A, TO-220

Q15.00

IRF1010E MOSFET Canal N 60V – 84A TO-220, está diseñado para soportar un nivel específico de energía en el modo

Transistor Potencia 2N3055 NPN 60V, 15A, TO-3

Q20.00

2N3055 Transistor BJT NPN 70V – 15A TO-3, semiconductor bipolar de juntura NPN. Este transistor es de alta potencia, capaz

Transistor MOSFET Canal N P12NA60FI, TO-247F

Q12.00

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V Corriente continua de

Transistor BD235 NPN 60V 2A TO-126

Q5.00

Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W Tensión colector-base (Vcb): 60 V Tensión colector-emisor (Vce): 60 V Tensión emisor-base (Veb):

MOSFET Canal N Modelo IRF511 5.6A 80V

Q12.00

El IRF511 es un Transistor de efecto de campo de potencia Silicon Gate TMOS de modo de mejora de canal

Transistor de Potencia Bipolar PNP, TIP36C 25A 100V, TO-247

Q18.00

Número de parte: TIP36C Amperios: 25a Voltaje: 100V Paquete: TO-3PB Tipo de terminal / terminal: radial Número de terminales /

Triac BT138 600V 12A TO-220

Q8.00

TRIAC de 600V y 12A, puede ser utilizado en aplicaciones típicas como control de motores, iluminación doméstica e industrial, entre

Triac BTA16 600V 16A TO-220

Q10.00

BTA16 600B es un Triac estándar utilizado para aplicaciones de propósito general de corriente alterna de onda completa y de

Tiristor SCR 2N5064 0.8A 200V TO-92

Q5.00

Tiristor SCR 0.8A 200V TO92 Voltaje – Off State 200V Corriente – On State (It (RMS)) (Max) 800mA Temperatura -40°C