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Transistor Mosfet 4N60A Canal N, 600V 2.6A, TO-220F
Características: Mosfet de canal N Carga de compuerta baja (típica 15 nC) Low C rss (típico 8.0 pF) Conmutación rápida
Transistor NPN de Silicio C2073, 150V 1.5A, TO-220
El transistor C2073 está diseñado para uso en aplicaciones de salida vertical, amplificador de potencia de uso general. Voltaje del
Triac 800V 8A, TIC225N
TIC 225A 800V
Amplificador Operacional Cuádruple TL074CN
El TL074CN es un Amplificador Operacional cuádruple de propósito general con entrada JFET y de bajo ruido diseñado para ofrecer
Transistor TIP127 PNP, 100V 5A, TO-220
El TIP127 es un transistor con darlington diseñado para su uso en amplificadores de propósito general y aplicaciones de conmutación
Transistor Darlington MPSA13 NPN, 30V 500mA, 625mW, 125MHz, TO-92
Transistor Darlington NPN de propósito general. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 10
Transistor Bipolar NPN 2SC4793, 230V, 20W, 1A, 100Mhz
Características: Tipo – NPN Voltaje colector-emisor: 230 V Voltaje de la base del colector: 230 V Voltaje de la base
Transistor PNP A1837 Bipolar
El A1837 es un Transistor de uso general de alta Tipo de transistor PNP Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente
Transistor Mosfet IRF9Z24N, 55V 12A, TO-220
De manera especifica, el transistor IRF9Z24N es un MOSFET de potencia ó como el nombre comercial HEXFET. Este transistor tiene una
Transistor Mosfet IRF840, 500V 8A, TO-220
El transistor IRF840 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
Transistor NPN Toshiba C5198, 140V 10A
Es un dispositivo de transistor de unión bipolar NPN El voltaje del colector al emisor es de 140V El voltaje
Transistor Bipolar C2235, NPN 120V 0.8A, 0.9W, 120MHz, TO-92MOD
Tipo: NPN Tensión Máxima Colector-Emisor: 120 V Tensión Máxima Colector-Base: 120 V Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V Corriente DC Máxima
Transistor TIP120 NPN, 60V 5A, TO-220
El TIP120 es un transistor con polaridad NPN con darlington con encapsulado TO-220. Diseñado para aplicaciones de amplificación de uso
Transistor Mosfet IRFP240, 200V 20A
Especificaciones: Tipo de paquete: TO-247 Tipo de transistor: Canal N Voltaje máximo aplicado desde el drenaje hasta la fuente: 200 V El voltaje
Transistor NPN C4460, 500V 15A, TO-3PML
Especificaciones:
Transistor de Potencia PNP 2SB688, 120V 8A
El transistor 2SB688 podría tener una ganancia de corriente entre 55 y 160. Especificaciones: Tipo – PNP Voltaje del colector-emisor:
Transistor 2SA992 PNP, 120V 50mA, 500mW, 100MHz, TO-92
Voltaje colector-emisor (Vceo): 120V Voltaje de la base del colector (Vcbo): 120 V Corriente del colector (Ic): 0.05A hfe: 200-800
Transistor 2SB647 PNP 120V 1A, 0.9W, 140MHz, TO-92
Tipo de transistor: PNP Polarización: bipolar Voltaje colector-emisor: 120V Corriente del colector: 1A Energía: 900 mW Caso: TO-92 Montaje: THT
Transistor 2SA1266 PNP, 50V, 150mA, 400mW, TO-92
2SA1266 es un dispositivo semiconductor que se utiliza para amplificar o cambiar señales electrónicas y energía eléctrica. Está compuesto de
Transistor Mosfet, 600V 3A, MTP3N60
Especificaciones: Paquete A-220-3 Polaridad del transistor norte Voltaje máximo de la fuente de drenaje 600 voltios Corriente máxima de drenaje
Transistor Bipolar MPSA92 PNP, TO-92
El MPSA92 se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando
Transistor Mosfet, Canal N, 100V 180A, HY-3810, TO-220
Máxima disipación de potencia (Pd): 580 W Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 100 V Voltaje máximo fuente – puerta
Transistor Mosfet IRF530N, 100V 14A, TO-220
IRF530 es un dispositivo MOSFET de canal N. El voltaje de drenaje a fuente ( V DS ) es de
Transistor de Potencia NPN 120V 8A, 2SD718 TO-3P
El transistor 2SD718 es un amplificador de potencia de audio, convertidor de DC a DC y aplicaciones de conmutación. Características:
Transistor Bipolar BD136 PNP 45V 1A TO-126
Tipo de Transistor: PNP Serie: BD136 Encapsulado: TO-126 Estilo de montaje: Through Hole Pines: 3 Altura: 10.8 mm Longitud: 7.8
Transistor Bipolar BD138 PNP 60V 1A TO-126
Consiste en una plaquita de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente tipo de conductibilidad eléctrica los cuales forman dos
Triac BTA08 600C 8A 600V TO-220
4A corriente de puerta máxima Epoxy con clasificación de llama UL94V-0 Aplicaciones: Industrial, HVAC, Control de Motor, Iluminación Especificaciones Tensión
Triac TIC246D 16A 400V TO-220
TIC 246D TRANSISTOR TRIAC 400V 16A 50mA
Transistor TOSHIBA PNP 2SA1943 Bipolar, 230V 15A 150W, TO-3PL
Tipo de transistor PNP Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente de colector 15A Poder disipado 150W Carcasa TO3PL Montaje THT
Transistor Bipolar BD135 NPN 45V, 1.5A TO-126
El BD135 es un transistor de bajo voltaje de polaridad NPN, fabricado con tecnología planar epitaxial y diseñado para su
Transistor TIP126 PNP, 80V 5A, TO-220
Transistor TIP126 Tipo T para aplicaciones de switcheo y conmutación lineal de potencia media. Complementario a TIP120 /121/122/127 Aplicaciones: Industrial
Transistor PNP de Potencia 2SB511J 35V 1.5A 10W TO-220
Modelo: 2SB511 Polaridad: PNP Frecuencia máxima de funcionamiento: 8 MHz Tensión del colector-emisor máx .: -35 V Tensión de la
Triac BT137 600V 8A TO-220
El BT137 es una puerta sensitiva pasivada planar triac de cuatro cuadrantes destinado al uso en aplicaciones de conmutación bidireccional
Triac BT136 600V 4A TO-220
El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a
Transistor TIP122 NPN, 100V 5A, TO-220
El transistor de potencia bipolar Darlington está diseńado para aplicaciones de amplificador de uso general y conmutación de baja velocidad.
Transistor TIP105 60V 8A, TO-220
TIP105 Transistor Darlington BJT PNP -60V / -8A TO-220, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP. Este transistor es
Transistor C3179, NPN, 60V 4A, 30W TO-220
Tipo: NPN Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V Tensión Máxima Colector-Base: 60 V Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V Corriente DC Máxima
Transistor 2N2904 PNP 60V 0.6A TO-39
2N2904 Transistor BJT PNP -40V / -600mA TO-39, semiconductor bipolar de juntura PNP. Su estructura es en plástico con tres
Transistor Silicon 2SC1678 NPN 65V 3A 3W TO-220
El 2SC1678 es un transistor NPN de silicio planar epitaxial. Uso recomendado para la aplicación de etapa de salida del
Triac BTA41-800B 600V 40A
BTA41 600B es un TRIAC de 3 pines con aislamiento estándar para conmutación de CA de uso general y se
Transistor Metálico 2N2222A, NPN 40V 800mA, TO-18
El 2N2222A es un transistor NPN de conmutación, es uno de los transistores más populares, permite corrientes de hasta 800mA
Transistor NPN D882 40V 3A TO-126
El D882 es un transistor NPN. Puede manejar una corriente de colector de hasta 3A y soporta una tensión máxima
Transistor BC546 NPN 80V 0.1A TO-92
Transistor BC546 es un transistor de silicio de baja potencia de propósitos generales utilizado en gran variedad de equipos electrónicos.
Transistor BC337 NPN 25V 0.8A TO-92
Es un transistor bipolar, compuesto por Silicio. Utilizado en amplificadores de audio, equipos de medicina y equipos informáticos.
Tiristor SCR C106MG, 600V 4A, TO-126
El C106MG SCR es un tiristor rectificador controlado de silicio por sus siglas en inglés (Silicon Controlled Rectifier) de tipo
Transistor TIP31C NPN 100V 3A, 40W TO-220
Número de Modelo: TIP31C Transistor NPN Encapsulado TO-220 Número de pines: 3 Dimensiones Aprox.: 28.9 mm x 10 mm x
Transistor Bipolar BD137 NPN 60V, 0.5A TO-126
El Transistor Bipolar BD137 (BJT) NPN es un transistor elaborado de Silicio, es una placa de material semiconductor con tres
Transistor TIP42C PNP 100 V 6A 65W TO-220
Transistor de potencia TIP42C PNP, con encapsulado de plástico TO-220, este transistor es de tipo bipolar de propósito general es
Transistor BD139 NPN 80V 1.5A TO-126
El BD139 es un transistor de silicio NPN de potencia media de plástico diseñado para su uso como amplificadores de
Transistor NPN TIP41C, 100V 6A 65W, TO-220
Transistor de potencia TIP41C NPN, con encapsulado de plástico TO-220, este transistor es de tipo bipolar de propósito general es
Transistor Bipolar de Potencia PNP TIP32C 3A 100V
Una amplia gama de transistores bipolares NPN y PNP de STMicroelectronics que incluye dispositivos para aplicaciones generales, Darlington, y de
Transistor BD140 PNP 80V 1.5A TO-126
El BD140G es un transistor de silicio de 80V PNP de potencia media bipolar diseñado para su uso como amplificadores
Transistor Mosfet IRFP260M, 200V 50A, TO-247AC
IRFP260 es un transistor de efecto de campo de potencia o MOSFET. Está disponible en el paquete TO-247AC que también
Transistor A733 PNP 50V 100mA TO-92
Transistor PNP, A733 Encapsulado TO-92 de 3 pines Voltaje de Colector a Base (CB) es -60V Voltaje de Colector a
Transistor TIP30C PNP -100V 3A 30W TO-220
Transistor TIP30C de silicio PNP epitaxial ofrece voltaje colector-base de -100V y corriente de colector de -1A. Está diseńado para
Transistor Mosfet IRFZ44N, 55V 49A, TO-220
El IRFZ44N es un transistor mosfet de potencia, de canal N, hexfet con muy baja resistencia por unidad de superficie
Mosfet NC-POWER IRF540 Canal N, 100V 33A
Material: metal-óxido-semiconductor Polaridad: canal N Encapsulado: TO 220 Conmutador de Potencia Corriente de drenador Ic: 33 Ampere Voltaje máximo drenador
Transistor C2330 NPN, 300V 100mA, 900mW, 50 MHz, TO-92
Características: Voltaje de la base del colector: VCBO = 400V Producto de ancho de banda de ganancia actual: fT =
Transistor PNP TIP117 100V 2A TO-220
El transistor de potencia bipolar Darlington está diseńado para aplicaciones de amplificador de uso general y conmutación de baja velocidad.
Transistor de Potencia Bipolar NPN, TIP35C 100V 25A, TO-247
TIP35C Transistor BJT NPN 100V – 25A TO-247, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN. Este transistor es capaz
