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Triac BT136 600V 4A TO-220

Q6.00

El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a

Transistor TIP122 NPN, 100V 5A, TO-220

Q6.00

El transistor de potencia bipolar Darlington está diseńado para aplicaciones de amplificador de uso general y conmutación de baja velocidad.

Transistor TIP105 60V 8A, TO-220

Q6.00

TIP105 Transistor Darlington BJT PNP -60V / -8A TO-220, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP. Este transistor es

Transistor C3179, NPN, 60V 4A, 30W TO-220

Q6.00

Tipo: NPN Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V Tensión Máxima Colector-Base: 60 V Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V Corriente DC Máxima

Transistor 2N2905 PNP 60V 0.6A TO-39

Q12.00

2N2904 Transistor BJT PNP -40V / -600mA TO-39, semiconductor bipolar de juntura PNP. Su estructura es en plástico con tres

Transistor Silicon 2SC1678 NPN 65V 3A 3W TO-220

Q10.00

El 2SC1678 es un transistor NPN de silicio planar epitaxial. Uso recomendado para la aplicación de etapa de salida del

Triac BTA41-800B 600V 40A

Q40.00

BTA41 600B es un TRIAC de 3 pines con aislamiento estándar para conmutación de CA de uso general y se

Transistor Metálico 2N2222A, NPN 40V 800mA, TO-18

Q15.00

El 2N2222A es un transistor NPN de conmutación, es uno de los transistores más populares, permite corrientes de hasta 800mA

Transistor NPN D882 40V 3A TO-126

Q8.00

El D882 es un transistor NPN. Puede manejar una corriente de colector de hasta 3A y soporta una tensión máxima

Transistor BC546 NPN 80V 0.1A TO-92

Q2.00

Transistor BC546 es un transistor de silicio de baja potencia de propósitos generales utilizado en gran variedad de equipos electrónicos.

Transistor BC337 NPN 25V 0.8A TO-92

Q2.00

Es un transistor bipolar, compuesto por Silicio. Utilizado en amplificadores de audio, equipos de medicina y equipos informáticos.

Tiristor SCR C106MG, 600V 4A, TO-126

Q6.00

El C106MG SCR es un tiristor rectificador controlado de silicio por sus siglas en inglés (Silicon Controlled Rectifier) de tipo

Transistor TIP31C NPN 100V 3A, 40W TO-220

Q12.00

Número de Modelo: TIP31C Transistor NPN Encapsulado TO-220 Número de pines: 3 Dimensiones Aprox.: 28.9 mm x 10 mm x

Transistor Bipolar BD137 NPN 60V, 0.5A TO-126

Q3.50

El Transistor Bipolar BD137 (BJT) NPN es un transistor elaborado de Silicio, es una placa de material semiconductor con tres

Transistor TIP42C PNP 100 V 6A 65W TO-220

Q6.00

Transistor de potencia TIP42C PNP, con encapsulado de plástico TO-220, este transistor es de tipo bipolar de propósito general es

Transistor BD139 NPN 80V 1.5A TO-126

Q2.00

El BD139 es un transistor de silicio NPN de potencia media de plástico diseñado para su uso como amplificadores de

Transistor NPN TIP41C, 100V 6A 65W, TO-220

Q6.00

Transistor de potencia TIP41C NPN, con encapsulado de plástico TO-220, este transistor es de tipo bipolar de propósito general es

Transistor Bipolar de Potencia PNP TIP32C 3A 100V

Q6.00

Una amplia gama de transistores bipolares NPN y PNP de STMicroelectronics que incluye dispositivos para aplicaciones generales, Darlington, y de

Transistor BD140 PNP 80V 1.5A TO-126

Q2.00

El BD140G es un transistor de silicio de 80V PNP de potencia media bipolar diseñado para su uso como amplificadores

Transistor Mosfet IRFP260M, 200V 50A, TO-247AC

Q75.00

IRFP260 es un transistor de efecto de campo de potencia o MOSFET. Está disponible en el paquete TO-247AC que también

Transistor A733 PNP 50V 100mA TO-92

Q1.50

Transistor PNP, A733 Encapsulado TO-92 de 3 pines Voltaje de Colector a Base (CB) es -60V Voltaje de Colector a

Transistor TIP30C PNP -100V 3A 30W TO-220

Q6.00

Transistor TIP30C de silicio PNP epitaxial ofrece voltaje colector-base de -100V y corriente de colector de -1A. Está diseńado para

Transistor Mosfet IRFZ44N, 55V 49A, TO-220

Q12.00

El IRFZ44N es un transistor mosfet  de potencia, de canal N, hexfet con muy baja resistencia por unidad de superficie 

Mosfet NC-POWER IRF540N Canal N, 100V 33A

Q12.00

Material: metal-óxido-semiconductor Polaridad: canal N Encapsulado: TO 220 Conmutador de Potencia Corriente de drenador Ic: 33 Ampere Voltaje máximo drenador

Transistor C2330 NPN, 300V 100mA, 900mW, 50 MHz, TO-92

Q3.00

Características: Voltaje de la base del colector: VCBO = 400V Producto de ancho de banda de ganancia actual: fT =

Transistor PNP TIP117 100V 2A TO-220

Q7.00

El transistor de potencia bipolar Darlington está diseńado para aplicaciones de amplificador de uso general y conmutación de baja velocidad.

Transistor de Potencia Bipolar NPN, TIP35C 100V 25A, TO-247

Q12.00

TIP35C Transistor BJT NPN 100V – 25A TO-247, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN. Este transistor es capaz

Transistor TIP102 100V 15A TO-220

Q7.00

Transistor Darlington NPN de propósito general Dispositivo diseńado para operar como amplificador de propósito general y conmutación de baja velocidad

Transistor Potencia MJ2955 PNP 100V, 15A, TO-3

Q12.00

El MJ2955 es un transistor de potencia de silicio, complementario, PNP de -60V para usarse en aplicaciones de propósito general

Transistor Mosfet IRF1010E, 60V 84A, TO-220

Q15.00

IRF1010E MOSFET Canal N 60V – 84A TO-220, está diseñado para soportar un nivel específico de energía en el modo

Transistor Potencia 2N3055 NPN 60V, 15A, TO-3

Q20.00

2N3055 Transistor BJT NPN 70V – 15A TO-3, semiconductor bipolar de juntura NPN. Este transistor es de alta potencia, capaz

Transistor MOSFET Canal N P12NA60FI, TO-247F

Q12.00

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V Corriente continua de