Transistor Mosfet IRFP250N, 200V 33A, TO-247

Q40.00

Sin Existencia

SKU: TRA-IRFP250N Categorías: , ,
Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFP250N de International Rectifier es un MOSFET de potencia HEXFET de canal N simple de 200V en encapsulado TO-247AC. Este MOSFET cuenta con una resistencia en estado de conducción extremadamente baja por área de silicio, valor dinámico dv/dt, facilidad de paralelismo, resistente, conmutación rápida, requisitos sencillos de conducción y calificación total para avalancha. Como resultado, estos MOSFET de potencia son conocidos por su eficiencia y confiabilidad extremas que los hacen aptos para su uso en una gran variedad de aplicaciones.

  • Voltaje drenaje-fuente (Vds) de 200V.
  • Voltaje de compuerta a fuente de ± 20V.
  • Resistencia en estado de encendido Rds(on) de 75mohm con Vgs de 10V.
  • Disipación de potencia Pd de 214W a 25 °C.
  • Corriente continua de drenaje Id de 30A en Vgs 10V y 25 ° C.
  • La temperatura de funcionamiento es desde -55°C hasta 175°C.

Aplicaciones:

  • Administración de Potencia, Industrial, Dispositivos Portátiles, Electrónica de Consumo

Características:

  • Polaridad: Canal N.
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 200 V.
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V.
  • Tensión umbral Vgs: 4 V.
  • Intensidad drenador continua Id: 30 A.
  • Resistencia de activación Rds(on): 75 mohm.
  • Disipación de potencia Pd: 214 W.
  • Temperatura de funcionamiento máxima: 175 ° C.
  • Encapsulado TO-247.
  • 3 pines.
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