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Transistor TIP102 100V 15A TO-220

Q7.00
Transistor Darlington NPN de propósito general Dispositivo diseńado para operar como amplificador de propósito general y conmutación de baja velocidad
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Transistor Potencia MJ2955 PNP 100V, 15A, TO-3

Q12.00
El MJ2955 es un transistor de potencia de silicio, complementario, PNP de -60V para usarse en aplicaciones de propósito general
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Transistor De Silicio 2SC4468 NPN

Q18.00
Es un transistor de potencia con un encapsulado TO3P n-p-n compuesto por silicio, en su composición posee una placa de
0
Agotado
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Transistor Mosfet IRF1010E, 60V 84A, TO-220

Q12.00
IRF1010E MOSFET Canal N 60V – 84A TO-220, está diseñado para soportar un nivel específico de energía en el modo
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Transistor Potencia 2N3055 NPN 60V, 15A, TO-3

Q20.00
2N3055 Transistor BJT NPN 70V – 15A TO-3, semiconductor bipolar de juntura NPN. Este transistor es de alta potencia, capaz
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Transistor MOSFET Canal N P12NA60FI, TO-247F

Q12.00
Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V Corriente continua de
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Transistor BD235 NPN 60V 2A TO-126

Q5.00
Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W Tensión colector-base (Vcb): 60 V Tensión colector-emisor (Vce): 60 V Tensión emisor-base (Veb):
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MOSFET Canal N Modelo IRF511 5.6A 80V

Q12.00
El IRF511 es un Transistor de efecto de campo de potencia Silicon Gate TMOS de modo de mejora de canal
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Transistor de Potencia Bipolar PNP, TIP36C 25A 100V, TO-247

Q18.00
Número de parte: TIP36C Amperios: 25a Voltaje: 100V Paquete: TO-3PB Tipo de terminal / terminal: radial Número de terminales /
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Triac BT138 600V 12A TO-220

Q8.00
TRIAC de 600V y 12A, puede ser utilizado en aplicaciones típicas como control de motores, iluminación doméstica e industrial, entre
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Triac BTA16 600V 16A TO-220

Q10.00
BTA16 600B es un Triac estándar utilizado para aplicaciones de propósito general de corriente alterna de onda completa y de
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Tiristor SCR 2N5064 0.8A 200V TO-92

Q5.00
Tiristor SCR 0.8A 200V TO92 Voltaje – Off State 200V Corriente – On State (It (RMS)) (Max) 800mA Temperatura -40°C
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Triac 600V 10A, Q2008LT

Q20.00
Los dispositivos Quadrac de Teccor son triacs que incluyen un disparador diac montado dentro del mismo paquete. Este dispositivo, desarrollado
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Transistor Mosfet IRFP460, 500V 20A, TO-247

Q35.00
El transistor IRFP460 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
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Transistor Mosfet IRFP264N, 250V 44A, TO-247

Q30.00
El transistor IRFP264N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
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Transistor Mosfet IRFP250N, 200V 33A, TO-247

Q40.00
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar
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Transistor Mosfet IRFP254N, 250V 23A, TO-247

Q30.00
IRFP254N es una nueva generación de la familia de MOSFET de alto voltaje que utiliza un mecanismo de equilibrio de
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Transistor Mosfet IRFP150N, 100V 42A, TO-247

Q25.00
El transistor IRFP150N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
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Transistor Mosfet IRFP360, 400V 23A, TO-247

Q25.00
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar
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Transistor Mosfet IRF3205, 55V 110A, TO-220

Q15.00
El IRF3205 es un transistor mosfet de potencia, de canal N, muy baja resistencia por unidad de superficie y con
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Transistor Mosfet IRF9540N, 100V 23A, TO-220

Q15.00
Transistor mosfet IRF9540 Tipo T es un mosfet de -100V  de canal P de potencia que  proporciona al diseñador con
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Transistor Mosfet IRF630N, 200V 9A, TO-220

Q12.00
IRF630 es un MOSFET de potencia de tercera generación especialmente diseñado para aplicaciones que requieren conmutación de alta velocidad. Este
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Transistor Mosfet IRF740, 400V 10A, TO-220

Q15.00
El IRF740 es un MOSFET de potencia de canal N de 400 V, el MOSFET de potencia son la tercera
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Transistor Mosfet IRF640N, 200V 18A, TO-220

Q10.00
El transistor IRF640N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
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Transistor Bipolar BD238, PNP, 100V 2A 25W, TO-126

Q5.00
Transistor bipolar compuesto por silicio con un amplio uso en diversos circuitos y aparatos electrónicos. Características: Material: Silicio Polaridad: P-N-P
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Transistor 2N2222A NPN, 40V 0.6A TO-92

Q1.00
También identificado como PN2222, es un transistor bipolar NPN de baja potencia de uso general. Sirve tanto para aplicaciones de
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Transistor BC549 NPN, 30V 0.1A TO-92

Q2.00
Categoría de producto: Transistores de empalme bipolar (BJT) Estilo de montaje: Through Hole Paquete / Cubierta: TO-92 Polaridad del transistor: NPN Máx. voltaje
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Transistor BC550 NPN, 45V 0.1A TO-92

Q2.00
Tipo de Transistor NPN Corriente DC Máxima del Colector 100 mA Tensión Máxima Colector-Emisor 45 V Tipo de Encapsulado TO-92
0
Agotado
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Transistor BC558 PNP 50V 0.1A TO-92

Q2.00
Transistor Bipolar (BJT) PNP IC max: 100 mA FT : 150 MHz PTOT: 500 mW VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO:
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Transistor 2N5401 PNP 160V, 0.6A TO-92

Q2.00
Transistor Bipolar (BJT) PNP de alto voltaje Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general IC: 600
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Transistor C1815 BJT NPN 50V 0.15A TO-92

Q1.50
Transistor C1815 Es un transistor de unión bipolar de mediana potencia, destinado para propósito general en amplificación y conmutación, construido
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Transistor BC557 PNP, 50V 0.1A TO-92

Q2.00
Encapsulado: TO-92 Tipo de transistor: PNP Corriente máxima del colector (IC): -100mA Voltaje máximo del colector-emisor (VCE): -45V Voltaje máximo
0
Agotado
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Transistor Bipolar NPN 2N5551, 600mA 160V, TO-92

Q2.00
Transistor tipo:  NPN Corriente de Colector (Ic) (Max): 600mA Voltaje – Colector Emisor ruptura (Max): 160V Vce Saturación (Max) @
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Transistor 2N3906 PNP, 40V 0.2A TO-92

Q1.00
Transistor 2N3906 de pequeńa seńal. Este transistor cuenta con conmutación rápida, por lo tanto es adecuado para la conmutación y
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Transistor 2N3904 NPN, 40V 0.2A TO-92

Q1.00
El transistor 2N3904 es uno de los más comunes transistores NPN generalmente usado para amplificación. Está diseńado para funcionar a
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Transistor BC548 NPN, 30V 0.1A TO-92

Q2.00
Transistor BC548 es un transistor de silicio de baja potencia de propósitos generales utilizado en gran variedad de equipos electrónicos.
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Transistor C945 BJT NPN, 50V 150mA TO-92

Q2.00
Un transistor C945 es un tipo de transistor de unión bipolar NPN. Los circuitos donde se requiere un transistor de
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Transistor BC547 NPN, 45V 0.1A TO-92

Q2.00
Es un transistor amplificador de audio y VHF Freq. Driver con una corriente máxima de colector de 0.6 ampere, en
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Transistor Bipolar (BJT) A1015 PNP, 50V 150mA TO-92

Q2.00
De tipo PNP viene en encapsulado TO92, plástico y con tres pines. Está formado por dos uniones np en contraposición.
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Transistor S8050 NPN, 0.5A 40V 625W TO-92

Q2.00
Transistor Bipolar (BJT) NPN Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio IC: 500 mA PD: 625 mW VCEO: 25
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Transistor S8550 PNP, 0.5A 40V 625mW TO-92

Q2.00
Transistor Bipolar (BJT) PNP Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio IC: 500 mA PD: 625 mW VCEO: 25
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Transistor Bipolar (BJT) S9015 PNP, 45V 100mA TO-92

Q2.00
Transistor Bipolar (BJT) PNP IC: 100 mA PD: 450 mW VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V hFE:
0
Agotado
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Transistor Bipolar BJT S9014, NPN, 50V 0.1A, TO-92

Q2.00
Transistor S9014 pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de pre-amplificador de bajo nivel y bajo ruido. Alta disipación
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Agotado
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Transistor Bipolar (BJT) S9013 NPN, 25V 500mA TO-92

Q2.00
Transistor Bipolar (BJT) NPN Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio hFE con buena linealidad IC: 500 mA PD: 625 mW
0
Agotado
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Transistor Bipolar (BJT) S9012 PNP, 25V 500mA TO-92

Q2.00
Transistor Bipolar (BJT) PNP Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio hFE con buena linealidad IC: 500 mA PD: 625 mW
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Transistor TOSHIBA NPN 2SC5200 Bipolar, 230V 15A 150W, TO-3PL

Q37.00
Tipo de transistor NPN Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente de colector 15A Pérdidas de potencia 150W Carcasa TO3PL Montaje
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Transistor 2SC2655, NPN, 50V, 2A, TO-92L

Q2.00
Transistor 2SC2655 de pequeña señal diseñado para su uso como amplificador e interruptor de potencia. Complemento 2SA1020 Aplicaciones: Industrial Especificaciones:
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Transistor 2SC1384, NPN, 60V, 1A, TO-92L

Q2.00
Transistor 2SC1384 pequeña señal para amplificación de potencia de baja frecuencia y amplificación de controlador. Bajo voltaje de saturación del
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Agotado
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Transistor 2SA1013, PNP, 160V, 1A, TO-92L

Q2.00
Transistor 2SA1013 pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de televisión de color y para la salida de deflexión
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Transistor 2SA928, PNP, 30V, 2A, TO-92

Q2.00
Transistor 2SA928 pequeña señal diseñado como amplificador de audio de poder. Complemento de 2SC2328A Características: Polaridad del transistor: PNP Voltaje
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Transistor A1020 PNP, 50V, 2A, 100MHz, TO-92

Q2.00
Tipo: PNP Tensión Colector-Emisor: -50 V Voltaje de la base del colector: -50 V Voltaje Emisor-Base: -5 V Corriente de colector: -2 A Disipación del colector: 0,9 W Ganancia de corriente
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Transistor 2N4401 NPN, 40V, 600mA, 700mW, 250MHz,TO-92

Q2.00
Transistor 2N4401 de pequeña señal, NPN 40 V, 0.6 A, 5 MHz de baja potencia usado para propósito general en
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Transistor 2SC828 NPN, 30V, 100mA, TO-92

Q2.00
Transistor 2SC828 de  pequeña señal, diseñado especialmente como  pre-amplificdor  de bajo ruido y para aplicaciones de amplificador industrial de pequeña
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Transistor 2SK30A JFET Canal N, 50V, 6.5 mA, TO-92

Q2.00
Transistor 2SK30A pequeña señal, conmutador de canal N. Este dispositivo está diseñado para aplicaciones de conmutación digital con baja resistencia.
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Agotado
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Transistor Bipolar NPN C2240, 120V 100mA, 300mW, 100MHz, TO-92

Q2.00
El 2SC2240 es un transistor para baja frecuencia y bajo ruido. Aplicaciones: Este dispositivo está diseñado para reducir la figura
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Transistor MJE13002 NPN, 700V 200mA, TO-92

Q4.00
Transistor 13002 Tipo: Transistor triodo Data: 700V 0.2A High Voltage/Speed