Transistor Mosfet IRFP264N, 250V 44A, TO-247

El transistor IRFP264N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFP264N es un MOSFET de potencia de canal N de 250V que proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño robusto del dispositivo, baja resistencia y rentabilidad. También proporciona mayores distancias de fuga entre pines para cumplir con los requisitos de la mayoría de las especificaciones de seguridad.

• Evaluación dinámica dv / dt.
• Avalancha repetitiva.
• Agujero de montaje central aislado.
• Conmutación rápida.
• Facilidad de paralelizar.
• Requisitos de unidad sencilla.
• ± 20V Tensión de compuerta a fuente.
• 0.45 ° C / W resistencia térmica, unión a caja.
• 40 ° C / W resistencia térmica, unión al ambiente.

Aplicaciones:

• Industrial, seguridad donde los niveles de potencia más altos impiden el uso de dispositivos TO-220

Especificaciones:

• Polaridad de transistor: Canal N.
• Tensión drenaje-fuente Vds: 250 V.
• Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V.
• Tensión Umbral Vgs: 4 V.
• Intensidad drenador continua Id: 44 A.
• Disipación de potencia Pd: 280 W.
• Resistencia de activación Rds(on): 75 mohm.
• Temperatura de operación mínima: -55 °C.
• Temperatura de operación máxima.: 175 °C.
• Encapsulado TO-3P.
• Número de pines: 3.