Descripción
Tipo de TransistorNPN
Corriente DC Máxima del Colector100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor45 V
Tipo de EncapsuladoTO-92
Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Disipación de Potencia Máxima500 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC110
Configuración de transistorSimple
Tensión Base Máxima del Colector50 V
Tensión Máxima Emisor-Base5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento1 MHz
Conteo de Pines3
Número de Elementos por Chip1
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor600 mV
Longitud4.58mm
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor900 mV
Dimensiones4.58 x 3.86 x 4.58mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento+150 °C
Información de Envío
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