Transistor 2N2905 PNP 60V 0.6A TO-39
Q12.00
En Existencia
2N2904 Transistor BJT PNP -40V / -600mA TO-39, semiconductor bipolar de juntura PNP. Su estructura es en plástico con tres terminales. Este transistor es de baja potencia, capaz de disipar hasta 800mW, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 600mA o que requieran tensiones de hasta 40VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
Su juntura es PNP, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 20 y 120.
Características:
- Tipo de Encapsulado: TO-39
- Transistor complementario del 2N2222 / 2N2222A
- Transistor equivalente a 2N2904A / 2N2905 / 2N2906 / 2N2907 / 2N2907A / NTE129
- Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo PNP
- Voltaje Colector – Emisor (VCE): -40V
- Voltaje Colector – Base (VCB): -60V
- Voltaje Emisor – Base (VEB): -5V
- Corriente Colector (IC): -600mA
- Potencia Máxima Disipada (PD): 800 mW
- Ganancia Máxima (hFE): 120
- Frecuencia Máxima de Trabajo (FT): 200 MHz
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