2N3055 Transistor BJT NPN 70V – 15A TO-3, semiconductor bipolar de juntura NPN. Este transistor es de alta potencia, capaz de disipar hasta 115W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 15A o que requieran tensiones de hasta 70VDC.
Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 20 y 70
Este transistor esta diseñado para circuitos de conmutación de potencia, reguladores en serie y paralelo, etapas de salida y amplificadores de audio.
Características:
- Tipo de Encapsulado: TO-3
- Transistor complementario del 2N2955
- Transistor equivalente a NTE130
- Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo NPN
- Voltaje Colector – Emisor (VCE): 70V
- Voltaje Colector – Base (VCB): 100V
- Voltaje Emisor – Base (VEB): 7V
- Corriente Colector (IC): 15A
- Potencia Máxima Disipada (PD): 115W
- Ganancia Máxima (hFE): 70
- Frecuencia Máxima de Trabajo (FT): 2.5 MHz
