El transistor IRFP460 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRFP460 es un MOSFET de potencia de N-canal de 500V, el MOSFET de potencia de tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia.
- Clasificación dv/dt dinámica.
- Clasificado avalancha repetitiva.
- Fácil conexión paralela.
- Requerimiento controlador sencillo.
- Orificio de montaje central aislado.
- Conmutación rápida.
- Aplicaciones: Administración de potencia.
Especificaciones:
- Polaridad: Canal N.
- Tensión drenaje-fuente Vds: 500 V.
- Voltaje puerta- fuente VGS:± 30.
- Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V.
- Tensión umbral Vgs: 4 V.
- Intensidad drenador continua Id: 20 A.
- Disipación de potencia Pd: 280 W.
- Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.2 Ω.
- Temperatura de trabajo máxima: 150°C.
- Encapsulado TO-247.
- 3 pines.
