- Transistor Bipolar (BJT) PNP de alto voltaje
- Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
- IC: 600 mA max.
- PD: 625 mW max.
- VCEO: 150 V, VCBO: 160 V, VEBO: 5 V, max.
- hFE: 40 a 200 (@ IC=1 mA, VCE=10 V)
- fT: 100 MHz mínimo
- VCE(sat): 0.5 V típico (@ IC = 50 mA)
- Encapsulado: TO-92
- Complementario: 2N5550, 2N5551
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