El transistor IRF640N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRF640 es un mosfet de potencia que ofrece al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño del dispositivo robusto y de baja resistencia.
- Baja resistencia térmica.
- Tecnología de proceso avanzada.
- Clasificación dinámica dv / dt.
- Cambio rápido.
- Totalmente avalancha nominal.
- Facilidad de paralelismo.
- Requisito de manejo simple.
Aplicaciones:
- Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo
Características:
- Polaridad de transistor: Canal N.
- Voltaje de drenaje a fuente VDS: 200 V.
- Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 500 V.
- Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V.
- Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 18 A
- Corriente de drenaje pulsada IDP: 72 A.
- Corriente de avalancha IAR: 18 A.
- Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 150 W.
- Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.13 ohm.
- Temperatura de operación mínima: -55 °C.
- Temperatura de operación máxima: 175 °C.
- Encapsulado: TO-220.
- Número de pines: 3
