TIP35C Transistor BJT NPN 100V – 25A TO-247, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN. Este transistor es capaz de disipar hasta 125W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 25A o que requieran tensiones de hasta 100VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
Características:
- Voltaje colector emisor: 100V máximo
- Corriente de colector: 25A máximo
- Potencia: 125W máximo
- Temperatura de operación: – 65°C ~ 150°C
- Temperatura de almacenamiento: – 65°C ~ 150°C
- Encapsulado: TO-247