El IRFZ44N es un transistor mosfet de potencia, de canal N, hexfet con muy baja resistencia por unidad de superficie y con un rendimiento de conmutación rápida, este beneficio, en combinación con la velocidad de conmutación rápida y el diseño del dispositivo robusto que hexfet Los mosfet de potencia son bien conocidos por ofrecer al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para uso en una amplia variedad de aplicaciones.
- Tecnología avanzada de procesos
- Ultra bajo en resistencia
- Valor dinámico dV / dt
- Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
- Temperatura de funcionamiento 175 °C
- Aplicaciones: Administración de potencia
Características:
- Polaridad de transistor: Canal N
- Voltaje de drenaje a fuente VDS: 55 V
- Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
- Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 55 V
- Corriente continua de drenaje ID: 49 A
- Corriente de drenaje pulsada IDP: 160 A
- Corriente de avalancha IAR: 25 A
- Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 94 W
- Resistencia de activación RDS(on) máxima: 0.0175 ohms
- Temperatura de operación mínima: -55 °C
- Temperatura de operación máxima: 175 °C
- Encapsulado: TO-220
- Número de pines: 3
