El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRFP360PBF es un MOSFET de potencia de canal N de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia ON. El paquete ofrece mayores distancias de fuga entre los pines para cumplir con los requisitos de la mayoría de las especificaciones de seguridad.
- Clasificación dv/dt dinámica.
- Facilidad de paralelismo.
- Clasificado avalancha repetitiva.
- Orificio de montaje central aislado.
- Requerimientos controladores sencillo.
- Conmutación rápida.
Aplicaciones:
- Industrial, administración de potencia, comercial .
Especificaciones:
- Polaridad: Canal N.
- Tensión drenaje-fuente Vds: 400 V.
- Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V.
- Tensión umbral Vgs: 4 V.
- Intensidad drenador continua Id: 23 A.
- Disipación de potencia Pd: 280 W.
- Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.18 ohm.
- Temperatura de trabajo máxima: 150°C.
- Encapsulado TO-247.
- 3 pines.
