El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRFP250N de International Rectifier es un MOSFET de potencia HEXFET de canal N simple de 200V en encapsulado TO-247AC. Este MOSFET cuenta con una resistencia en estado de conducción extremadamente baja por área de silicio, valor dinámico dv/dt, facilidad de paralelismo, resistente, conmutación rápida, requisitos sencillos de conducción y calificación total para avalancha. Como resultado, estos MOSFET de potencia son conocidos por su eficiencia y confiabilidad extremas que los hacen aptos para su uso en una gran variedad de aplicaciones.
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de 200V.
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 20V.
- Resistencia en estado de encendido Rds(on) de 75mohm con Vgs de 10V.
- Disipación de potencia Pd de 214W a 25 °C.
- Corriente continua de drenaje Id de 30A en Vgs 10V y 25 ° C.
- La temperatura de funcionamiento es desde -55°C hasta 175°C.
Aplicaciones:
- Administración de Potencia, Industrial, Dispositivos Portátiles, Electrónica de Consumo
Características:
- Polaridad: Canal N.
- Tensión drenaje-fuente Vds: 200 V.
- Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V.
- Tensión umbral Vgs: 4 V.
- Intensidad drenador continua Id: 30 A.
- Resistencia de activación Rds(on): 75 mohm.
- Disipación de potencia Pd: 214 W.
- Temperatura de funcionamiento máxima: 175 ° C.
- Encapsulado TO-247.
- 3 pines.
