De manera especifica, el transistor IRF9Z24N es un MOSFET de potencia ó como el nombre comercial HEXFET. Este transistor tiene una resistencia Ron muy pequeña y una velocidad de conmutación muy alta. Este transistor esta en su formato TO-220 disipando aproximadamente hasta un máximo de 45W.
- Número de Parte: IRF9Z24N
- Tipo de FET: MOSFET
- Polaridad de transistor: P
Especificaciones:
- Disipación total del dispositivo (Pd): 45 W
- Tensión drenaje-fuente |Vds|: 55 V
- Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
- Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
- Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
- Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V
- Carga de compuerta (Qg): 19(max) nC
- Tiempo de elevación (tr): 55 nS
- Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 170 pF
- Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.175 Ohm
