- Transistor Bipolar (BJT) NPN
- Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio
- hFE con buena linealidad
- IC: 500 mA
- PD: 625 mW
- VCEO: 25 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V
- hFE: 144 a 202 (Ranking H)
- FT: 150 MHz mínimo
- VCE(sat): 0.6 V max.
- Potencia de salida de 1 W en amplificadores con configuración clase B Push-pull
- Encapsulado: TO-92
- Complementario: S9012
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