- Transistor Bipolar (BJT) PNP
- IC max: 100 mA
- FT : 150 MHz
- PTOT: 500 mW
- VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 5 V
- hFE min: 110 (@ IC= 2 mA, VCE= 5 V
- Encapsulado: TO-92
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