Transistor Mosfet IRFP360, 400V 23A, TO-247

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFP360PBF es un MOSFET de potencia de canal N de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia ON. El paquete ofrece mayores distancias de fuga entre los pines para cumplir con los requisitos de la mayoría de las especificaciones de seguridad.

• Clasificación dv/dt dinámica.
• Facilidad de paralelismo.
• Clasificado avalancha repetitiva.
• Orificio de montaje central aislado.
• Requerimientos controladores sencillo.
• Conmutación rápida.

Aplicaciones:

• Industrial, administración de potencia, comercial .

Especificaciones:

• Polaridad: Canal N.
• Tensión drenaje-fuente Vds: 400 V.
• Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V.
• Tensión umbral Vgs: 4 V.
• Intensidad drenador continua Id: 23 A.
• Disipación de potencia Pd: 280 W.
• Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.18 ohm.
• Temperatura de trabajo máxima: 150°C.
• Encapsulado TO-247.
• 3 pines.