Transistor Mosfet IRF630N, 200V 9A, TO-220

IRF630 es un MOSFET de potencia de tercera generación especialmente diseñado para aplicaciones que requieren conmutación de alta velocidad. Este componente es una excelente combinación de baja resistencia en estado activo, diseño rentable y resistente.

El IRF630 está diseñado para soportar un voltaje de carga de hasta 200 V y una corriente de 9 A. Puede impulsar una corriente de hasta 36 A en modo de pulso durante 300 μs con un ciclo de trabajo del 2 %. Este MOSFET de potencia está especialmente diseñado para minimizar la capacitancia de entrada y el cambio de puerta, y está disponible en el paquete TO-220.

Características:

• Capacidad dv/dt extremadamente alta.
• Conmutación rápida.
• Baja capacitancia intrínseca.
• Facilidad de paralelismo.
• Carga de puerta minimizada.
• Requisito de accionamiento simple.

MOSFET equivalentes a IRF630:

• IRF630 se puede reemplazar por IRFS630, IRFS631, IRF630PBF, IRF640, IRF640PBF, IRF644, IRFB17N50L.

Aplicaciones:

• Aplicación de suministro de energía solar.
• Conductores de motor.
• Cargador de batería.
• Aplicaciones de telecomunicaciones.
• Aplicaciones de conmutación de alta velocidad.
• Administración de energía.
• Dispositivos portables.

Especificaciones:

• Tipo de transistor: canal N.
• Voltaje máximo aplicado de drenaje a fuente (VDS): 200 V.
• Corriente de drenaje máxima (continua) ID: 9 A.
• Corriente máxima de drenaje (pulso): 36 A.
• Máxima potencia de disipación: 74 W.
• Resistencia en estado entre drenaje y fuente: 0,40 Ω.
• voltaje de puerta a fuente: ±20 V.
• Carga de puerta QD: 43 nC.
• Robustez dinámica dv/dt: 5,8 V/ns.
• Intervalo de temperatura de almacenamiento y unión operativa: -55 a 150 ˚C.
• Paquete: TO-220.