El transistor IRFP450 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRFP450 es un MOSFET de potencia de N-canal de 500V con carga de puerta baja Qg da como resultado un requerimiento de unidad simple. Funciona a alta frecuencia con una aplicación de conmutación fuerte. Apto para SMPS y conmutación de energía de alta velocidad.
- Baja resistencia RDS (ON).
- Capacidad alta de dc / dt.
- Avalancha probado 100 %.
- Capacitancia intrínsecas muy bajas.
- Carga de puerta minimizada.
Aplicaciones:
- Administración de Potencia.
Especificaciones:
- Polaridad del transistor: Canal N.
- Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V.
- Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 500 V.
- Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V.
- Corriente continua de drenaje ID: 14 A.
- Corriente de drenaje pulsada IDP: 56 A.
- Corriente de avalancha IAR: 8.7 A.
- Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 190 W.
- Resistencia de disparo RDS(on) typ: 0.33 Ω.
- Temperatura de operación mínima: -55 °C.
- Temperatura de operación máxima: 150 °C.
- Encapsulado TO-247.
- Número de pines: 3.
