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Contacto Industrial Reforzado Aterrizado, 2 Polos + Tierra, Volteck

Q10.00

Tensión / Corriente: 127 V / 15 A. Fabricada de ABS y PVC. Con abrazadera de acero para asegurar la

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Transistor Mosfet IRFP460, 500V 20A, TO-247

Q45.00

El transistor IRFP460 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para

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Transistor Mosfet IRFP264N, 250V 44A, TO-247

Q30.00

El transistor IRFP264N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para

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Potenciómetro 100K, RV30YN20S B104

Q25.00

Bloques de terminales chapados en plata: los bloques de terminales de buena calidad están chapados en plata, vienen con conductividad

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Transistor Mosfet IRFP254N, 250V 23A, TO-247

Q30.00

IRFP254N es una nueva generación de la familia de MOSFET de alto voltaje que utiliza un mecanismo de equilibrio de

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Transistor Mosfet IRFP450, 500V 14A, TO-247

Q30.00

El transistor IRFP450 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para

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Transistor Mosfet IRFP350, 400V 16A, TO-218

Q30.00

Los MOSFET de potencia de canal N IRFP350 16A 400V de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación

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Potenciómetro 10K, RV30YN20S B103

Q25.00

Bloques de terminales chapados en plata: los bloques de terminales de buena calidad están chapados en plata, vienen con conductividad

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Potenciómetro 47K, WTH118-2W

Q25.00

Bloques de terminales chapados en plata: los bloques de terminales de buena calidad están chapados en plata, vienen con conductividad

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Transistor Mosfet IRFP150N, 100V 42A, TO-247

Q45.00

El transistor IRFP150N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para

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Transistor Mosfet IRFP360, 400V 23A, TO-247

Q25.00

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar

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Termistor 20 ohm, 3A, 9MM, NTC 20D-9

Q8.00

Los termistores NTC son sensores de temperatura por resistencia que varían su valor con la temperatura con un coeficiente negativo,

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Potenciómetro 1K, RV30YN20S B102

Q25.00

Bloques de terminales chapados en plata: los bloques de terminales de buena calidad están chapados en plata, vienen con conductividad

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Compuerta Lógica YES con 6 Buffer/Driver de Colector Abierto, 74LS07 TTL

Q11.00

Circuito integrado TTL 74LS07 que consta de seis buffers /driver con salidas de colector abierto de alta tensión de colector

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Capacitor de Poliéster 474 (470000pf, 470nf, 0.47uf) 630V

Q5.00

Los capacitores de poliéster son a menudo considerados como capacitores de propósito general. Proporcionan un buen rendimiento ademas de que

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Ventilador 110-120VAC 0.28A 12X12X4 CM, TMC FAN-5

Q99.00

Número de aspas: 5 Voltaje de operación: 110-120VAC Corriente nominal: 280 mA Dimensiones: 120x10x40mm Velocidad: 2800 RPM

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Plug de Audio Estéreo 3.5mm de Plástico, 4 Polos

Q12.00

Plug 3.5 mm ideal para reparar manos libres o crear cables a necesidad.

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Mini Switch Rocker On-Off Redondo Anaranjado/Negro, 125VAC 6A – 250VAC 3A

Q7.00

Voltaje/corriente: 125VAC 6A – 250VAC 3A 3 pines.

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Transistor Mosfet IRF3205, 55V 110A, TO-220

Q15.00

El IRF3205 es un transistor mosfet de potencia, de canal N, muy baja resistencia por unidad de superficie y con

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Transistor Mosfet IRF9540N, 100V 23A, TO-220

Q15.00

Transistor mosfet IRF9540 Tipo T es un mosfet de -100V  de canal P de potencia que  proporciona al diseñador con

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Transistor Mosfet IRF630N, 200V 9A, TO-220

Q12.00

IRF630 es un MOSFET de potencia de tercera generación especialmente diseñado para aplicaciones que requieren conmutación de alta velocidad. Este

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Transistor Mosfet IRF740, 400V 10A, TO-220

Q15.00

El IRF740 es un MOSFET de potencia de canal N de 400 V, el MOSFET de potencia son la tercera

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Transistor Mosfet IRF640N, 200V 18A, TO-220

Q15.00

El transistor IRF640N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para

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Fusible de Cerámica Europeo 12A 250V

Q1.50

Fusible cerámico de acción rápida de 12 A 250 V nominal. Tapas de los extremos fabricadas con latón niquelado de

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Fusible de Cerámica Europeo 7A 250V

Q1.50

Fusible cerámico de acción rápida de 7 A 250 V nominal. Tapas de los extremos fabricadas con latón niquelado de

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Fusible de Cerámica Europeo 6.3A 250V

Q1.50

Fusible cerámico de acción rápida de 6.3 A 250 V nominal. Tapas de los extremos fabricadas con latón niquelado de

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Fusible de Cerámica Europeo 6A 250V

Q1.50

Fusible cerámico de acción rápida de 6 A 250 V nominal. Tapas de los extremos fabricadas con latón niquelado de

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Fusible de Cerámica Europeo 4A 250V

Q1.50

Fusible cerámico de acción rápida de 4 A 250 V nominal. Tapas de los extremos fabricadas con latón niquelado de

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Fusible de Cerámica Europeo 3.15A 250V

Q1.50

Fusible cerámico de acción rápida de 3.15 A 250 V nominal. Tapas de los extremos fabricadas con latón niquelado de

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Fusible de Cerámica Europeo 2.5A 250V

Q1.50

Fusible cerámico de acción rápida de 2.5 A 250 V nominal. Tapas de los extremos fabricadas con latón niquelado de

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Fusible de Cerámica Europeo 1.6A 250V

Q1.50

Fusible cerámico de acción rápida de 1.6 A 250 V nominal. Tapas de los extremos fabricadas con latón niquelado de

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Fusible de Cerámica Europeo 1.5A 250V

Q1.50

Fusible cerámico de acción rápida de 1.5 A 250 V nominal. Tapas de los extremos fabricadas con latón niquelado de

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