Transistor Mosfet, Canal N, 100V 180A, HY-3810, TO-220

• Máxima disipación de potencia (Pd): 580 W
• Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 100 V
• Voltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 30 V
• Corriente continua de drenaje |Id|: 180 A
• Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

Características:

• Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
• Carga de la puerta (Qg): 260 nC
• Tiempo de subida (tr): 270 nS
• Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2470 pF
• Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.009 Ohm