- Transistor Bipolar (BJT) PNP
- IC: 100 mA
- PD: 450 mW
- VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V
- hFE: 200 a 600 (Ranking C)
- FT: 150 MHz mínimo
- VCE(sat): 0.3 V max.
- Encapsulado: TO-92
- Complementario: S9014
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