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Transistor NPN Toshiba C5198, 140V 10A
Es un dispositivo de transistor de unión bipolar NPN El voltaje del colector al emisor es de 140V El voltaje
Transistor Mosfet IRFP240, 200V 20A
Especificaciones: Tipo de paquete: TO-247 Tipo de transistor: Canal N Voltaje máximo aplicado desde el drenaje hasta la fuente: 200 V El voltaje
Transistor Mosfet, Canal N, 100V 180A, HY-3810, TO-220
Máxima disipación de potencia (Pd): 580 W Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 100 V Voltaje máximo fuente – puerta
Transistor TOSHIBA PNP 2SA1943 Bipolar, 230V 15A 150W, TO-3PL
Tipo de transistor PNP Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente de colector 15A Poder disipado 150W Carcasa TO3PL Montaje THT
Triac BTA41-800B 600V 40A
BTA41 600B es un TRIAC de 3 pines con aislamiento estándar para conmutación de CA de uso general y se
Transistor Potencia 2N3055 NPN 60V, 15A, TO-3
2N3055 Transistor BJT NPN 70V – 15A TO-3, semiconductor bipolar de juntura NPN. Este transistor es de alta potencia, capaz
Triac 600V 10A, Q2008LT
Los dispositivos Quadrac de Teccor son triacs que incluyen un disparador diac montado dentro del mismo paquete. Este dispositivo, desarrollado
Transistor Mosfet IRFP460, 500V 20A, TO-247
El transistor IRFP460 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
Transistor Mosfet IRFP264N, 250V 44A, TO-247
El transistor IRFP264N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
Transistor Mosfet IRFP250N, 200V 33A, TO-247
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar
Transistor Mosfet IRFP254N, 250V 23A, TO-247
IRFP254N es una nueva generación de la familia de MOSFET de alto voltaje que utiliza un mecanismo de equilibrio de
Transistor Mosfet IRFP150N, 100V 42A, TO-247
El transistor IRFP150N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
Transistor Mosfet IRFP360, 400V 23A, TO-247
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar
Transistor TOSHIBA NPN 2SC5200 Bipolar, 230V 15A 150W, TO-3PL
Tipo de transistor NPN Polarización bipolar Tensión colector-emisor 230V Corriente de colector 15A Pérdidas de potencia 150W Carcasa TO3PL Montaje